高摆动马鞍山电流镜

[bigsheng]

我是一个典型的级联设计高挥杆NMOS管电流镜。试图在晶体管的大小来确定在这里。在我看来，底部晶体管可以最小长度
， 因为它的讥并不能改变由于共源共栅晶体管以上的缓冲区，而级联晶体管应该使用较长的
， 因为它可以看到变化大讥。但我发现是很多人所做的是相反的方向：利用底部NMOS和民为级联NMOS管L座巨大的L。是否有这样做的理由呢？谢谢。

 

[abcyin]

在我看来，输出电流主要是由晶体管置于底部确定，所以他们的长度应足够大
， 以避免路通道长度调制效应，而级联晶体管的目的是为了遮盖从底部的输出晶体管，这是没有问题的选择一个相对较短。
这是我的意见，暂算起来
， 如果它是错的。

希望它帮助！

 

[jnuhope]

如果可能的话，尝试使用两个晶体管长的通道
， 因为总输出阻抗〜gm2 * ro2 * ro1（gm2被级联装置）。但是，你需要留意headrooms约束。

 

[bigsheng]

我同意目前主要是由底部的晶体管决定。然而，由于晶体管的漏底屏蔽的共源共栅晶体管，实际上应该只有很小的底部晶体管漏源电压的变化。这就是为什么我认为它是确定用于小型晶体管底部的长度。

 

[DenisMark]

一种观点另一点。
小底部大多只用于高频应用。
如果考虑低失调，噪声应用和带宽权衡镜像MOSTs必须工作在与通用汽车小额强烈反演水平。通常这使小型的W / L比值（高ro1）。影响级联MOSTs上抵消和噪声实在微不足道
， 尤其是当ro1高！因此
， 级联MOSTs短香奈儿设备小面积够大瓦/ L的gm2 * ro2 * ro1比例。

很好的参考：
http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t=254362&highlight=amplifier speed accuracy improvement
或
http://www.edaboard.com/viewtopic.php?t=261515&highlight=amplifier speed accuracy improvement

 

[jnuhope]

良好的说，DenisMark！
因此
， 如果一个使用底部晶体管（低ro1）小长级联科技部，的偏移和噪声不能忽略不计
， 甚至在低频率。

 

[Guest]

[No message]

 

[jecyhale]

bigsheng说：

我是一个典型的级联设计高挥杆NMOS管电流镜。
试图在晶体管的大小来确定在这里。
在我看来，底部晶体管可以最小长度，因为它的讥并不能改变由于共源共栅晶体管以上的缓冲区，而级联晶体管应该使用较长的，因为它可以看到变化大讥。
但我发现是很多人所做的是相反的方向：利用底部NMOS和民为级联NMOS管L座巨大的L。
是否有这样做的理由呢？
谢谢。