Oct 1, 2011 #1 L lasha Guest 您好米，正与我的抑扬顿挫的工具....而m分析，我想知道PMOS和NMOS的LAMDA 180nm技术与长宽比的行为.....有人可以帮我???????
Oct 1, 2011 #2 E erikl Guest [color =“蓝”]戴维M Binkley [/color]“权衡和优化模拟CMOS设计”第153 .. 163给出一个全面的概述0.18微米CMOS工艺Early电压（V [SIZE = 1] [/SIZE]）依赖晶体管的长度（L），反转系数（IC）和漏源电压（V [SIZE = 1] DS [/SIZE]）。一个比较粗的逼近，这个过程中是V [SIZE = 1]一[/SIZE] = 10V（微米的通道长度）;通道宽度调制（CLM）的因子λ=λ= 1 / V [SIZE = 1]一[ /大小]。
[color =“蓝”]戴维M Binkley [/color]“权衡和优化模拟CMOS设计”第153 .. 163给出一个全面的概述0.18微米CMOS工艺Early电压（V [SIZE = 1] [/SIZE]）依赖晶体管的长度（L），反转系数（IC）和漏源电压（V [SIZE = 1] DS [/SIZE]）。一个比较粗的逼近，这个过程中是V [SIZE = 1]一[/SIZE] = 10V（微米的通道长度）;通道宽度调制（CLM）的因子λ=λ= 1 / V [SIZE = 1]一[ /大小]。
