A
adilmahsan
Guest
您好
我设计了3相逆变控制器采用事先知情同意
我目前使用的MOSFET驱动器
, 但没有疑虑使用的IGBT
比方说
,我 使用的IGBT和双电源(正面和负面的)上所显示的第五页所附的pdf文件
现在,如果门口触发电路不同从0到5伏特,然后wouldnt较低的晶体管是前瞻性biassed在0和5伏特? ? ?
Shouldn't他们需要一个触发信号
, 即不同的
腈 以腈 5
伏
03帮助
Thanx
我设计了3相逆变控制器采用事先知情同意
我目前使用的MOSFET驱动器
, 但没有疑虑使用的IGBT
比方说
,我 使用的IGBT和双电源(正面和负面的)上所显示的第五页所附的pdf文件
现在,如果门口触发电路不同从0到5伏特,然后wouldnt较低的晶体管是前瞻性biassed在0和5伏特? ? ?
Shouldn't他们需要一个触发信号
, 即不同的
腈 以腈 5
伏
03帮助
Thanx