3相电机滑行二极管

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ata90

Guest
根据图1，当我们要运行的单相电机，我们一起使用，以电机自由轮二极管。但根据图2，如果我们要使用3相电机，是有必要使用FWD的呢？若然，我们应该在哪里的地方？ （这是不可能的地方沿2相电机）
 
[行情] RC缓冲看到这个网页：[URL = http://www.google.com/url?sa=t&sourc...O54XyQ&cad=rja重定向通知[/URL] [/QUOTE]在您的建议网站，没有任何电路原理图。我应如何在我的设计实施的缓冲？
 
嗨。你的电路是不实用，因为您的单台电动机电路直流电动机，没有交流，和你的3相电路中，您要使用半桥拓扑。半桥，你应该使用一个负电压低于MOSFET的源，（VCC），使AC波形。你应该使用在您的汽车前消除过滤器。和良好的MOSFET的漏极至源交界处（内部）在并行schotky二极管就足够了。
 
嗨，你必须知道，我们不能用免费续流二极管，因为如果你想控制你的电机，您需要更改每个阶段的极性，从而免费续流二极管是没有用的。我想你一定R_C缓冲倾销损害[行情]在您的建议的网站，没有任何电路原理图设计。我应该如何实现我的设计中的缓冲？[/QUOTE]这个网站只是为设计概念的想法。如果你想有一个良好的设计，你必须知道很多关于你的电机和MOSFET的细节和频率。
 
金饰：1）一件事情是很重要的是VCC和VSS之间的电压，它并不重要，VSS是负数，零或正数，我们应该考虑的事情是VCC> VSS。在我的电路拓扑结构，方波是多种多样的VCC和零之间。电机不具有共同的节点（我的意思是连接到地面的中间节点，）你曾经与无刷直流电动机的工作？这些电机有类似的拓扑结构。 2）什么是消除过滤器？
 
嘿哥们+ VCC和零，你的输出电压（3相电路）应被替代（AC）我的意思你不能获得，以及一个交流。但你可以将它转移（电容）（放大后的方波），你应该知道，半桥转换器中，当我们想交流了，我们应该有+ VCC和- VCC或+ VCC和一个电容器，是您的序列负载。单电源工作，但其更好地使用双重供应，使您的第二个问题。消除过滤器：你知道一个方波范围相当广泛，例如（我的意思是谐波），你的电机是专为50HZ，但是当你给您的电机方波，许多频率供应电机不只是50HZ。你应该知道，在直流电动机在低权力，我们没有这个问题（因为[附加= CONFIG] 59746 [/attach] Y有大的XL），但在交流电机，我们需要消除过滤器。
 
亲爱的金饰1）关于消除过滤器，据我所知，这个过滤器只保留指定的频率，并消除其他谐波。所以它的输入方波的形式和它的输出是与特定频率的正弦波波形。我的权利吗？ 2）请参见下文she​​matic。你的意思是这样的吗？ 3）我看到您的首选shematic。所有晶体管的N - MOS。我已经看到，设计者使用三个以上的P - MOS，3的N - MOS低于驱动电路。你怎么证明，VGS为足够的转向3 trasistors位于上述电路进行？ （在这些晶体管的源极电压不恒定，因为通常的P - MOS是首选）
 
我的朋友，嗨，你应该避免在一个电路中使用p MOS和ñ MOS，因为在互补模式，如果您的供应200V你应该为1 215伏和零为0伏。当你有电平转换器，或当你有供应15伏特，youe可以用互补金属氧化物半导体场效应晶体管。但你可以看到书本上的p MOS和NMOS但这些都是不实际，这些都只是为了引进一个拓扑！
 
[color =金饰; 939052]我的朋友，嗨，你应该避免在一个电路中使用p MOS和ñ MOS，因为如果你的供应正在200V互补模式你应该得到1 215伏和零电压为0。当你有电平转换器，或当你有供应15伏特，youe可以用互补金属氧化物半导体场效应晶体管。但你可以看到书本上的p MOS和NMOS但这些都是不实际，这些都只是为了引进一个拓扑！[/QUOTE]在PMOSFET / NMOSFET对你可以使用一个简单的电压转换器的P MOSFET驱动器，但在Nmodfer / NMOSFET对您需要使用引导或隔离电源来驱动高侧开关。 PMOSFET是作为一个高侧开关更容易驱动，但相比一个NMOSFET是更加昂贵，并且具有较高的电阻（RDS - ON），就是这个道理，你通常会看到所有NMOSFET司机亚历
 
请看到我的新的附件：[附加= CONFIG] 59837 [/attach]看看M2的情况。如果你想要到M2去饱和模式，如果你符合其门地面，M2的持续饱和。 BT如果你符合其+15 V转变的大门，你会看到平方米尚未！它的分析是简单！ 15％200V V是更negative.thus你应该给215伏到门（200和215之间的不同= 15因此MOSFET出场，你应该了解，在所有开关电路使用一种类型的交换机。p型或仅仅局限于N类型！因为他们的特点是喜欢自己，我的第一个电路！，你可以控制你的交换机很简单，0伏和15伏！
 
你可以找到在大电流和高电压类型ñ MOSFET的！低廉的价格，[COLOR =“银”] [SIZE = 1 ]----------发表于16:05添加----------前发表于16:03 - ---------[/SIZE] [/color]亲爱的朋友！关于消除过滤器（一把手）的思路是正确的的。如果你想要，我可以给你一个完美的原理，以获得你的目标。，[COLOR =“银”] [SIZE = 1 ]----------发表于16:07添加------- --- 16:05 ----------[/尺寸上一篇] [/color]为您指导，谢谢您亚历！
 
亲爱的金饰和亚历感谢您的很好的指导下，现在，请假设下面的电路： 1）假设Vcc = 15V，我们需要打开上臂的N - MOS VGS = 10V。所以（node1上 - node2上= 10V）。实际上，节点2的电压是不固定的，它可能有任何电压。所以你将如何调整节点1的电压，以节点1和节点2之间的有10个V！？ 2）是否有任何解决方案，以取代 - VSS地面？ 3）您是如何计算的C1，C2和C3的值吗？如果我们使用他们，我们仍然在电机的输入方波的形式？没有这些电容电机的电流限制？ （电机是3〜10A）亲爱的金饰，我觉得一个完美的原理可以区分。在先进的感谢
 
要提供一个10V的Vgs下，您可以提供一个孤立的电压源10V或使用自举电路，以产生更高的电压，并用它来驱动的门（或外部电压泵产生的电压）。在隔离电源的方法，它就像一个电池，假设一个10V的电池，你负极连接到MOSFET的源和积极的大门，在这种情况下，大门将永远有一个Vsource公司的+10 V电压的VGS 10V Bootstrap方法一个电容器充电电源电压电平，然后电容上的电压时，高边MOSFET时就像一个电池提供的栅源电压+ VCAP所以正确的VGS为完成。你的电容器系列电机（负载），我不认为这可以正常工作。一个负电源，大概可以使用，但？有没有做过类似的话，我不明白这一点，也降低侧MOSFET的驱动程序将变得更加复杂亚历
 
亚历克斯：如果要求更换地面 - VSS一些解决方案，这是因为，我有单电源。也许我应该转向控制器部分大约VCC / 2。我知道引导技术，但是我不熟悉隔离电压源。可以举个例子，或离开隔离电压源的一些原理图吗？
 
隔离电源仅仅是一个电源是浮动的，不共享相同电路的其余部分GND，这个来源的参考，可连接高侧MOSFET的源，其实是什么都电压存在，这将创建我描述这样的VGS [附加= CONFIG] 59845 [/attach]我没有使用过这样的事情，但它是类似一个变压器耦合栅极驱动器 focus.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf 亚历
 
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