S
spyghost
Guest
嗨，
我已阅读icsp指导微晶片网站（ http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/30277d.pdf ）
字母i的重点是16f8x节目。有一个电路底部的网页
2月21日 （图1 ：典型应用电路） 。我很noob在icsp / ISP和我想学习使用它...我有几个问题需要澄清：
-是二极管发现mclr / vpp已经够吗？be used as an isolation for rb7 and rb6?
-可以简单的 三州缓冲区
被用作隔离rb7和rb6 ？我发现这（ http://focus.ti.com/lit/ds/symlink/sn74lvc2g240.pdf ）- if i use tri-states, is there a way to automatically switch the gates to its its hi-z state during programming?
或者说我只需要的地方跳投/ DIP开关
， 使之高阻抗？
如果有进一步的信息可能是有用的，
请 随时添加...
谢谢！
<img src="images/smiles/icon_smile.gif" alt="微笑" border="0" />
我已阅读icsp指导微晶片网站（ http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/30277d.pdf ）
字母i的重点是16f8x节目。有一个电路底部的网页
2月21日 （图1 ：典型应用电路） 。我很noob在icsp / ISP和我想学习使用它...我有几个问题需要澄清：
-是二极管发现mclr / vpp已经够吗？be used as an isolation for rb7 and rb6?
-可以简单的 三州缓冲区
被用作隔离rb7和rb6 ？我发现这（ http://focus.ti.com/lit/ds/symlink/sn74lvc2g240.pdf ）- if i use tri-states, is there a way to automatically switch the gates to its its hi-z state during programming?
或者说我只需要的地方跳投/ DIP开关
， 使之高阻抗？
如果有进一步的信息可能是有用的，
请 随时添加...
谢谢！
<img src="images/smiles/icon_smile.gif" alt="微笑" border="0" />