CMRR和DC之间的关系偏移

T

terryssw

Guest
“请记住,CMRR为直流输入失调电压的交流体现”。 - 我听到这sentances薮倍,但我不明白的意思。有人能帮助给予一定的话题进行深入的解释?提前感谢!
 
[报价= terryssw]“请记住,CMRR为直流输入失调电压的交流体现”。 - 我听到这sentances薮倍,但我不明白的意思。有人能帮助给予一定的话题进行深入的解释? [/QUOTE]的CMRR = CMG / DIFG保康联是一个差分放大器的共模增益(输入绑在一起),并在DIFG放大器的差分增益(两个输入之间的信号提前感谢! )。理想的CMG应为零,但由于missmatch diiferential对元件参数差分对武器通常有missmatched收益。由于差分对的直流偏移是涉及到对个别武器的组件匹配,然后较大的直流偏移,也可能是糟糕的CMRR(不是很有效的内部具有较强的负反馈的系统)的指示。
 
感谢您的replys。是否有一定的CMRR和DC之间的数学关系抵消?此外,是否正确,即使我们没有直流偏移(刚刚理想说),我们仍然有有限的CMRR由于尾电流源的有限输出电阻?因此,这意味着在尾电流源相结合,共模抑制比(CMRR)以及有限的输出电阻晶体管的不匹配的影响?
 
我同意terryssw。我还认为的CMRR是相对的尾电流源晶体管和有限输出阻抗的不匹配的影响。但我感到困惑的CMRR的模拟,因为在一般的模拟晶体管的mismathches都没有涉及,而且它不仅涉及尾电流输出电阻的影响呢?我怎样才能得到更准确的结果的CMRR,我的意思是涉及到的不匹配的影响。感谢:)
 
我认为模拟的不匹配,蒙特卡罗模拟是需要从技术铸造的不匹配的参数。
 
当然,任何missmatch导致糟糕的CMRR。例如,如果在源代码行,否则完全匹配FETS目前sorces missmatched,那么我们将获得一个什么反映根据不同的直流偏移和的FET的跨导也将有所不同,导致不同的收益(非零不同的VGS CMG)。
 
在湖人和三仙的书,我认为是有答案。还有的CMRR分为2部分,它是涉及到DC方程偏移。但我不知道,我没有这书在手。所以,请谁可以检查它呢?顺便说一句,我觉得这是一个最好的书。
 
一个非理想的电流源将保持与输入信号改变偏置点,调制,因此不同的小信号增益。因此输出盖nwill输入CM水平上有一个依赖。不匹配,显然会导致分化lgain变化 - 它可以作为共模增益观看。一个粗略的想法多少的CMRR将降低由于失配,你可以简单地使用略有不同的纵横比(也许+ / - 1%)的两个输入晶体管,或为此事需要相匹配的任何组件。我也听说,PSRR是体现电压偏移,但不太能看到为什么呢?任何见解?
 
[报价] CMRR = CMG / DIFG [/QUOTE]如果这个等式是正确的,CMRR将降低到零,这OPAMP将垃圾。正确的equeation是,CMRR = | DIFG /(CMG - DIFG)|
 
“请记住,CMRR为直流输入失调电压的交流体现”。 - 我听到这sentances薮倍,但我不明白的意思。有人能帮助给予一定的话题进行深入的解释?提前感谢!
 
[报价= terryssw]“请记住,CMRR为直流输入失调电压的交流体现”。 - 我听到这sentances薮倍,但我不明白的意思。有人能帮助给予一定的话题进行深入的解释? [/QUOTE]的CMRR = CMG / DIFG保康联是一个差分放大器的共模增益(输入绑在一起),并在DIFG放大器的差分增益(两个输入之间的信号提前感谢! )。理想的CMG应为零,但由于missmatch diiferential对元件参数差分对武器通常有missmatched收益。由于差分对的直流偏移是涉及到对个别武器的组件匹配,然后较大的直流偏移,也可能是糟糕的CMRR(不是很有效的内部具有较强的负反馈的系统)的指示。
 
感谢您的replys。是否有一定的CMRR和DC之间的数学关系抵消?此外,是否正确,即使我们没有直流偏移(刚刚理想说),我们仍然有有限的CMRR由于尾电流源的有限输出电阻?因此,这意味着在尾电流源相结合,共模抑制比(CMRR)以及有限的输出电阻晶体管的不匹配的影响?
 
我同意terryssw。我还认为的CMRR是相对的尾电流源晶体管和有限输出阻抗的不匹配的影响。但我感到困惑的CMRR的模拟,因为在一般的模拟晶体管的mismathches都没有涉及,而且它不仅涉及尾电流输出电阻的影响呢?我怎样才能得到更准确的结果的CMRR,我的意思是涉及到的不匹配的影响。感谢:)
 
我认为模拟的不匹配,蒙特卡罗模拟是需要从技术铸造的不匹配的参数。
 
当然,任何missmatch导致糟糕的CMRR。例如,如果在源代码行,否则完全匹配FETS目前sorces missmatched,那么我们将获得一个什么反映根据不同的直流偏移和的FET的跨导也将有所不同,导致不同的收益(非零不同的VGS CMG)。
 
在湖人和三仙的书,我认为是有答案。还有的CMRR分为2部分,它是涉及到DC方程偏移。但我不知道,我没有这书在手。所以,请谁可以检查它呢?顺便说一句,我觉得这是一个最好的书。
 
一个非理想的电流源将保持与输入信号改变偏置点,调制,因此不同的小信号增益。因此输出盖nwill输入CM水平上有一个依赖。不匹配,显然会导致分化lgain变化 - 它可以作为共模增益观看。一个粗略的想法多少的CMRR将降低由于失配,你可以简单地使用略有不同的纵横比(也许+ / - 1%)的两个输入晶体管,或为此事需要相匹配的任何组件。我也听说,PSRR是体现电压偏移,但不太能看到为什么呢?任何见解?
 
[报价] CMRR = CMG / DIFG [/QUOTE]如果这个等式是正确的,CMRR将降低到零,这OPAMP将垃圾。正确的equeation是,CMRR = | DIFG /(CMG - DIFG)|
 

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top