I / O单元设计

[brakchus]

嗨，
我是初学者在模拟集成电路
， 并试图在0.13微米设计输入单元。木卫一细胞均采用了3.3和1.2伏的核心细胞。我得带电源线的问题。就是这样我在形象呈现是正确的？垂直保卫细胞分离3.3V的电池和1.2V。如果假定的3.3V线将最近债券垫？

 

[Guest]

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[mikersia]

木卫一的单元设计应提供ESD / Eos的保护
， 首先。采购从这一目标的ESD保护建设。ESD保护支配权力布辛（Vdd_io / GND_io）要求
， 围绕初级阶段的保护和布局。一般来说
， 这个总线采用分立从预驱动器，转换器和其他级别的I / O低电压部分的权力总线。
有几个可能性
， 木卫一的结构设计。这是更好地阅读更多特殊literaure做得不到失败。请参阅本网站建议由ESD大师的项目。

 

[bharatsmile2007]

嗨，
可以请你寄给我台积电130或180纳米的LVCMOS木卫一细胞部件，如果你有的话。
谢谢

 

[mikersia]

请参阅适用的Virage Logic公司的用户指南， -也许它可以帮助
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[bharatsmile2007]

谢谢您

 

[bharatsmile2007]

嗨，
你能列出
， 台积电的180纳米的LVCMOS规范检查清单IO缓冲器
谢谢