Jul 17, 2011 #2 N neoaspilet11 Guest 库马尔在一个单独的SRAM存储单元中，有两个NAND或NOR门。您只需在一个单一的NAND或NOR门的晶体管数量，乘以2。我不敢肯定与DRAM内存。但据我记得，一个DRAM记忆体的列是相互联系在一起。（我不知道王氏这也许行）。这就是为什么你注意到它的相当快擦除存储器的内容是相互关联的，因为无论行或列。在DRAM内存的MOSFET数量不是基于每单元的基础，但对每列（是相互关联的情况下，列）的行数（在相互关联的情况下，行）的数量。列数表示有多宽，是你的记忆单词的行数表示memroy能力。 MOSFET是用来刷新列中的电容器。就像我说我不能肯定与DRAM，但我认为如果我记得正确的，多数民众赞成的方式如何计算在DRAM中的MOSFET
库马尔在一个单独的SRAM存储单元中，有两个NAND或NOR门。您只需在一个单一的NAND或NOR门的晶体管数量，乘以2。我不敢肯定与DRAM内存。但据我记得，一个DRAM记忆体的列是相互联系在一起。（我不知道王氏这也许行）。这就是为什么你注意到它的相当快擦除存储器的内容是相互关联的，因为无论行或列。在DRAM内存的MOSFET数量不是基于每单元的基础，但对每列（是相互关联的情况下，列）的行数（在相互关联的情况下，行）的数量。列数表示有多宽，是你的记忆单词的行数表示memroy能力。 MOSFET是用来刷新列中的电容器。就像我说我不能肯定与DRAM，但我认为如果我记得正确的，多数民众赞成的方式如何计算在DRAM中的MOSFET
