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lionelgreenstreet
Guest
我有关于MOSFET参数的一些问题：1）阈值电压：取决于通道长度为L（一个固定的工艺技术）？如果使用相同的工艺技术是用L，阈值电压变化或没有？ 2）沟道长度调制：如果使用相同的工艺技术和相同的L与W作的调制参数的变化或不？ 3）电子迁移：我已经发布了同样的问题在一个老话题（ http://www.edaboard.com/viewtopic.php?p=1111939＃1111939 ），但我转贴在此新的主题新的问题... ...我明白电子迁移率与L的关系，但我不明白它与W的关系... ...你能帮助我吗？