Jul 13, 2011 #1 S Sceadwian Guest 我使用的MOSFET（IRF510）脉冲通过电感器的电流产生一个高电压，一个电容器充电。我遇到的问题是一个IRF510漏源击穿电压为100伏特，所以一旦电容充电至100伏，场效应管打破了，让我获得更高的电压。有什么办法“隐藏”从FET的高电压，这样我就可以得到更高的电压，或我坚持用100伏的限制，除非我切换到另一个FET或BJT的呢？
我使用的MOSFET（IRF510）脉冲通过电感器的电流产生一个高电压，一个电容器充电。我遇到的问题是一个IRF510漏源击穿电压为100伏特，所以一旦电容充电至100伏，场效应管打破了，让我获得更高的电压。有什么办法“隐藏”从FET的高电压，这样我就可以得到更高的电压，或我坚持用100伏的限制，除非我切换到另一个FET或BJT的呢？
Jul 13, 2011 #2 I IanP Guest 我不认为你将能够防止高电压开关MOSFET ..因此，尽量选择一个更高的VDS，如IRF830东西，BUK444/500B或P7NB60FP - 仅举几例 - > 500V额定.. ，IanP
