Jun 29, 2011 #2 A alexz Guest P型 - 一种半导体材料,已掺杂,使有一个更大的数字移动孔比有移动电子N型 - 一个更自由比自由空穴电子Normaly N -型半导体的高操作,其中P -型低。
Jun 29, 2011 #3 S sabari Guest P型 - 一种半导体材料,已掺杂,以便有一个更大的移动孔数量比一些例子移动电子的硼铝镓铟铊N型 - 一个更加自由电子半导体比例子免费孔PHOSPOROUS砷锑铋
Jun 29, 2011 #4 B barkha Guest 对于P和N型半导体参考下面的链接 http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/dope.html http://www.tpub.com/ content/neets/14179/css/14179_26.htm对于PN结参考下面的链接 http://ece-www.colorado.edu/〜bart/book/book/chapter4/ch4_2.htm http://www.play-hookey.com/semiconductors/pn_junction.html
对于P和N型半导体参考下面的链接 http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/dope.html http://www.tpub.com/ content/neets/14179/css/14179_26.htm对于PN结参考下面的链接 http://ece-www.colorado.edu/〜bart/book/book/chapter4/ch4_2.htm http://www.play-hookey.com/semiconductors/pn_junction.html
Jun 29, 2011 #7 J jeffttan Guest 一个N型半导体是一个纯粹的半导体是与五价原子掺杂... 5对最外层电子的原子,即..一个N型半导体是一个纯粹的半导体是与三价原子的掺杂... ... 3对最外层电子的原子,即.. [SIZE = 2] [颜色=#999999] 4分钟后添加:[/彩色] [/SIZE]一个PN结时会形成一个N型半导体和P型半导体放在彼此相邻... ...什么情况是,在N型半导体的自由电子对的孔移动在P型利用半导体。这个结果与空穴和电子在形成耗尽区交界处聚集...
一个N型半导体是一个纯粹的半导体是与五价原子掺杂... 5对最外层电子的原子,即..一个N型半导体是一个纯粹的半导体是与三价原子的掺杂... ... 3对最外层电子的原子,即.. [SIZE = 2] [颜色=#999999] 4分钟后添加:[/彩色] [/SIZE]一个PN结时会形成一个N型半导体和P型半导体放在彼此相邻... ...什么情况是,在N型半导体的自由电子对的孔移动在P型利用半导体。这个结果与空穴和电子在形成耗尽区交界处聚集...
Jun 29, 2011 #10 V vlsiattitude Guest 基本上不是一个纯硅绝缘体具有很高的resisitivity.its称为intinsic semiconductor.we故意添加一些杂质来改变其对区区千欧姆miliohms兴奋剂后,如果我们根据添加phosporus那么它称为n型为phosporus是五价原子有1 phosporus电子doesn't参加粘接过程的一部分,因此它可以非常兴奋,而在室温一点能量所有这些都是免费的ELC trons excoted到导带至导带。相同的P型材料适用于当我们使用elctron(孔)boron.as一个空间是免费的
基本上不是一个纯硅绝缘体具有很高的resisitivity.its称为intinsic semiconductor.we故意添加一些杂质来改变其对区区千欧姆miliohms兴奋剂后,如果我们根据添加phosporus那么它称为n型为phosporus是五价原子有1 phosporus电子doesn't参加粘接过程的一部分,因此它可以非常兴奋,而在室温一点能量所有这些都是免费的ELC trons excoted到导带至导带。相同的P型材料适用于当我们使用elctron(孔)boron.as一个空间是免费的
Jun 29, 2011 #11 S Santoshalagawadi Guest 亲爱的朋友实际上P和N型materilas我们所说的,因为多数和少数载流子,在P型孔的情况下是这样,大部分运营商和在N型电子是多数载流子的情况下同样可以使用这个概念的情况下PN结以及MOS器件
Jun 29, 2011 #12 D Daniz40 Guest P型Semicondutors:P型材料/半导体有一个大的没有。孔或者我们可以说大公p型材料作为多数载流子和少数载流子的电子空穴。如何p型材料形成:p型材料时形成的硅(Si)是从周期表第三组(如硼(B),铝(AL)或镓(Ga))元素掺杂。四在ITRS最外层电子和Al 4有3个电子在其最外层,当这两种元素掺杂有7成电子这样有一个电子defeciency债券产生。 N型半导体:N型半导体有一个大的没有。电子或者我们可以说,p型材料的多数载流子电子。如何N型材料形成:N型材料形成whenSi是一个,如磷(P)或砷(As)peridic表第五组元素掺杂。当这两种材料是掺杂产生的材料有havng 9电子即1每个额外的共价键丝宝。因此,电子成为多数载流子
P型Semicondutors:P型材料/半导体有一个大的没有。孔或者我们可以说大公p型材料作为多数载流子和少数载流子的电子空穴。如何p型材料形成:p型材料时形成的硅(Si)是从周期表第三组(如硼(B),铝(AL)或镓(Ga))元素掺杂。四在ITRS最外层电子和Al 4有3个电子在其最外层,当这两种元素掺杂有7成电子这样有一个电子defeciency债券产生。 N型半导体:N型半导体有一个大的没有。电子或者我们可以说,p型材料的多数载流子电子。如何N型材料形成:N型材料形成whenSi是一个,如磷(P)或砷(As)peridic表第五组元素掺杂。当这两种材料是掺杂产生的材料有havng 9电子即1每个额外的共价键丝宝。因此,电子成为多数载流子