SiGe和硅技术之间的差异VCO设计

[zhouchunyu]

我想kown为VCO的拓扑设计的SiGe和Si之间的技术差异

 

[khouly]

硅锗技术是一种BICMOS技术，包括HBT“hetrojunction双极Transisitor”这个tarnsistor基地是一个硅锗这使得一般约60至70 GHz的设备非常快FT所以u可以使用像CMOS交叉耦合对khouly VCO德兴这些HBT的

 

[vfone]

SiGe半导体具有更低的闪烁噪声的贡献紧密的相位噪声。

 

[biff44]

我没有想到的是硅锗比硅有较低的闪烁噪声。工作在更高频率的硅锗，但补充说，使用兴奋剂将提高硅锗的闪烁噪声，岂不？