SiGe技术的经验

[eng_islam]

我问的是在硅锗技术工作。不同的只是过程比四，什么是我的considration时采取的IM上高科技工作。像0.25μ锗thanx

 

[elbadry]

锗是一种BiCMOS技术。所以，你可以选择使用双极晶体管（垂直双极晶体管）。通常，这些BJT的具有比CMOS晶体管高得多英尺（也许一个数量级以上），使他们能够使用更高频率。我不认为这是一个特殊的考虑。你只需要选择使用，除了正常的MOS晶体管的超高速双极晶体管。只是考虑到BJT的局限性护理，即：基极电流，较大的地区，有限的摆动，和相对较高的VBE（可能达到0.8 - 0.9伏特，这可能会导致净空限制）。问候

 

[waveronics]

我认为对于MOS晶体管将具有更高的KP和KN哪个更好

 

[maddy]

SiGe技术的优点是较高的FT，噪音小，更大的击穿电压（PA有用）。缺点是制造成本，更高的电源电压 - >电量越多，“小积”（在相同的IC数字电路和模拟电路）等，所以锗的应用> 10 - 15GHz的地方去用硅CMOS cannot ...关于麦迪