”LC压控振荡器

[davidwong]

有几个LC压控振荡器的基本结构。
1）顶偏NMOS管
2）底部偏见NMOS管
3）顶偏PMOS管
4）底部PMOS的偏见
5）顶部偏见NMOS和PMOS
6）底部偏见NMOS和PMOS。

据在CMOS差分LC振荡器的文件“设计问题”，JSSC，1999年5月和2008年2月，2000年。
5）和6）似乎会取得更好的相位噪声。
但顶部或底部的偏见偏见是更好的相位噪声？
什么是副词。和disadvangtage顶级偏颇队偏颇的底部？

 

[Guest]

[No message]

 

[hrkhari]

您好：

据我所知，LC - VCO的互补的形式给出了给定的电流消耗高克，而且是消耗的电流比较单一交叉耦合通用LC - VCO的。

在顶部有偏见的装载pMOS的振荡器的谐振器寄生
， 因此被称为tovGnd提高装载性能，而最有偏见nMOS管的压控振荡器提供更高的运行速度
， 但具有更高负载谐振器。

希望它帮助

丝氨酸

 

[davidwong]

老实说，
我总觉得有点混乱。
PMOS管会提出相位噪声更低由于闪烁噪声
更大的电流会导致更多闪烁的噪音太大。
NMOS管引入更高的相位噪声
， 但它具有更高的收益。
所以我觉得相位噪声优化会因上述因素等。
它似乎对我来说，很难说哪个结构是相位噪声性能良好。
这将完全取决于进程。
作为一差/女的PMOS和NMOS噪音可能在不同的技术差异。