”MOSCAP

H

hrkhari

Guest
亲爱的家伙:

由于电容器是两个终端设备,是可以实现的副弥散一MOSCAP捆绑在一起的调谐电压,而典型的执行情况
, 调谐电压在门口应用。感谢事先

丝氨酸

 
N

news

Guest
Błyskawiczny rozwój technologii komórkowej oraz miniaturyzacji pozwala na wyposażanie najnowszych smartfonów w coraz to bardziej zaawansowane i wydajne podzespoły, dzięki czemu urządzenia te już dawno temu przestały być jedynie wygodną (bo mobilną) alternatywą dla telefonów stacjonarnych. W dzisiejszych czasach dość trudno sobie wyobrazić funkcjono...

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P

pi331133

Guest
如果您想使用的变容二极管作为一个正常的NMOS管,您可以连接源极和漏极布局在一起
, 你说的。事实上,MOSCAP是三终端设备,门,源极/漏极和P -分。一般情况下
, 栅极电压是固定的调谐电压应用到源极/漏极,这可以减少从源寄生上限的影响/漏到P -分。谢谢。

 
S

sharas

Guest
您必须应用在栅极电压
, 以形成一个逆温层。因此,S / D值及散装应该连在一起-你可以考虑为2终端设备的晶体管。

 
H

hrkhari

Guest
嗨:

这是更好的争端解决机构绑在一起或绑在一起
, 而在DS为B接地nMOS管或拉pMOS的内径为在实现MOSCAP。请澄清是否富裕pMOS的是
, 在实现MOS变容管
, 而不是nMOS管。感谢事先

丝氨酸

 
S

sharas

Guest
对于NMOS管,你应该Ḏ地面拧 的大部分。用于PMOS您必须连接所有的人3到Vdd。我没有看到任何afvantage就比其他。

 
G

goodboy_pl

Guest
浮动moscaps仅仅是一个PMOS或即使在排水
, 绑在一起
, 形成一个引脚和门第二针NMOS管源阱的最小间距。
但不准确的电容模仿图书馆不幸!

最好的!

 
H

hrkhari

Guest
goodboy_pl说:

浮动moscaps仅仅是一个PMOS或即使在阱的最小间距NMOS管报价:你的意思是在阱的最小间距NMOS管,是否等同于以漏极和源浮栅与阿莫斯散装在一起形成了两个终端MOSCAP,请证实。
典型的芯片是否支持这一进程?,虽然没有任何多余的处理步骤,在这种类型的设计工作。
感谢事先丝氨酸
 

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