C
CQCQ
Guest
您好！为什么'门宽'是在放大器或MOSFET重要？大栅宽或小门宽这是一件好事
， 为什么？
第四季多！
- CQCQ
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第四季多！
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D
deh_fuhrer
Guest
更是门宽更是设备的跨导....
K
khouly
Guest
作为栅极宽度增加意味着更多的电流可以通过乌拉圭回合的设备，也是transcondacutanc
这意味着更高的增益
khouly
这意味着更高的增益
khouly
G
Guest
Guest
[No message]
R
roadbuster
Guest
漏极电流的一个n型MOSFET的在饱和由下式给出：<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$ I_{DS} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} \left[ 2(V_{gs} - V_{t})V_{ds} - V_{ds}^2 \right] ' title="3 $基奇（副）\拆换方法：hspace（4毫米）= \拆换方法：hspace（4毫米）\压裂（1）（2）\ mu_（n）的C_（牛）\压裂为（W）（蜇）\左[2（V_（65 ） - V_（吨））V_（副） - V_（副）^ 2 \权]" alt='3$ I_{DS} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{1}{2} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} \left[ 2(V_{gs} - V_{t})V_{ds} - V_{ds}^2 \right] ' align=absmiddle>term refers to the gate width of the transistor.
在
W术语指晶体管的门宽度。正如你可以看到，越来越多门宽度将增加漏极晶体管的电流。较高漏电流的好处是显而易见的。
的N跨导型的饱和MOSFET是给出：<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' title="3 $ g_（米）\拆换方法：hspace（4毫米）= \拆换方法：hspace（4毫米）\（dI_压裂Ḏ））（（dV_（65））| _（V_（副）=常数）\拆换方法：hspace（4毫米）= \拆换方法：hspace（ 4毫米）\ mu_（n）的C_（牛）\压裂为（W）（蜇）（V_（65） - V_（吨））" alt='3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' align=absmiddle>再次，有一个和晶体管之间的跨门宽的线性关系。较高的跨意味着你可以建造一个高增益放大器。
在
W术语指晶体管的门宽度。正如你可以看到，越来越多门宽度将增加漏极晶体管的电流。较高漏电流的好处是显而易见的。
的N跨导型的饱和MOSFET是给出：<img src='http://www.elektroda.pl/cgi-bin/mimetex/mimetex.cgi?3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' title="3 $ g_（米）\拆换方法：hspace（4毫米）= \拆换方法：hspace（4毫米）\（dI_压裂Ḏ））（（dV_（65））| _（V_（副）=常数）\拆换方法：hspace（4毫米）= \拆换方法：hspace（ 4毫米）\ mu_（n）的C_（牛）\压裂为（W）（蜇）（V_（65） - V_（吨））" alt='3$ g_{m} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \frac{dI_{d}}{dV_{gs}} |_{V_{ds} = const} \hspace{4mm} = \hspace{4mm} \mu_{n} C_{ox} \frac{W}{L} (V_{gs} - V_{t}) ' align=absmiddle>再次，有一个和晶体管之间的跨门宽的线性关系。较高的跨意味着你可以建造一个高增益放大器。