为偏置电路电流镜

[crazyfox]

您好：

我有一个象下面这样的赛道，这是一个偏置电流镜的使用

问题是
， 我从未见过这样的赛道

任何谁见过像这样的拓扑结构，请求给我帮助

THX！<img src="http://images.elektroda.net/14_1230129535_thumb.jpg" border="0" alt="current mirror for bias circuit" title="电流镜的偏置电路"/>

 

[sutapanaki]

在这条赛道？

 

[Guest]

什么是晶体管宽/长？

 

[Guest]

[No message]

 

[sutapanaki]

该电路是一种自我偏置拓扑。我会尽力解释就是我的理解。看看图片附件。在图1我们可以在一个稍微不同的方式重新划分您的原始电路。在虚线方块中
， 是一个著名的结构与晶体管栅极电压带隙或三角洲使用的CMOS为基础的
， 甚至带与CMOS电流源的差距
， 如果货币供应量M1和M2亚阈值的。我想就是W / L是对货币供应量M1大于瓦/ M2的
， 以便您可以自愿 相同数额Vgs1 = Vgs2电流通过货币供应量M1和M2。这意味着瓦/的M5的L是因为M6的相同。
至于这些电路通常这类的零所有分支机构的现状是一个绝对稳定的状态，所以你需要一个启动电路。但是让我们看看会发生什么
， 如果我们能够踢这个零电流状态的电路了。如果通过货币供应M3的电流很小（它就会反映在M5和M6），则电阻两端的下降是几乎没有，这是因为如果货币供应量M1源在地面的。在这种情况下货币供应M2处于停产或差不多
， 因为其W / L是小于货币供应量M1是
， 如果目前的货币供应量M1小，即货币供应M2应该更小。电压V1的应该是高，还是继续上涨
， 如果我们假设
， 最初是为0V和M6是收费的所有连接到该节点上限。由于货币供应M3的开始变高进行越来越多的电流
， 增加了电阻两端的下降
， 也是货币供应量M1，这反过来又增加货币供应M2电流栅极电压。现在，如果你想象一下
， 我们有点脱钩目前M6的从货币供应M2，而我们设计的PMOS的镜子
， 这样PMOS管电流增加
， 比M2的电流（类似于图什么
， 是V1的慢）一些V1的两个当前曲线
， 然后将截取
， 这将是另一个稳定
， 而在这条赛道将落户。反馈意见将设法维持它。
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[leehying]

sutapanaki了好工作。但什么是这个比较优势对他人的偏见。

 

[sutapanaki]

据我却在所谓β-乘数偏见的所有优点-独立的内径好，固定其他偏见晶体管克成比例的1 / R和应具有作为测试温度特性相同倍增。不同的一点是
， 这两个NMOS晶体管，M1和M2有相同的漏电压，当然
， 如果货币供应M3的比例是他们。