人见过这样的布局?

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staric

Guest
布局提请图片。黄河面积门。广泛线地区的有效面积。从布局,积极方面的漏极和源极不似乎连接。我不能肯定是正确的图片。但是我还没有看到这一布局。谁可以告诉我这个装置的功能?和它的优势?
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这应是高压MOS晶体管,当电压高,晶体管开启,该频道将形。

 
它避免了高密度电场中一方的延长流失了ldd 。期待chap12的“艺术的模拟布局” 。你可以找到这本书很容易在这个论坛。

 
这是一个高压晶体管( LDMOS的) 。在高压能力建设的延伸良好的排水渠一侧的晶体管
, 并通过增加通道阻力。

 
是的,这是LDMOS的。正如你可以看到
, 流失是不发生重叠的大门。有些系列电阻有与通道。

 
这可能有助于想象的LDMOS器件
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我不认为它是一个高压的MOS ,因为源代码(或漏极)不是根据聚。因此
, 对渠道尚未建立。我想这可能是MOS器件的ESD保护。

 
这无疑是一个LDMOS晶体管。什么是缺少的是N阱下面隔离-见截面早些时候公布。

 
详细资料
, 也许在这本书:
“高电压器件和电路的标准CMOS技术”
侯赛因Ballan ,米歇尔戴麟
http://www.wkap.nl/prod/b/0-7923-8234-X
http://www.amazon.com/exec/obidos/tg/detail/-/079238234X/103-9712961-0986269?v=glance&vi=contents

 
这应该是一个HVMOS 。

最LDMOS的是得出一个圆圈或者类似的东西它

 
一份文件
, 这个种的CMOS
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<img src="images/smiles/icon_surprised.gif" alt="惊讶" border="0" />我认为这是一个公共服务电子化晶体管。

 
是。这应该是一个非对称高压MOS管。左将来源和权利将流失
, 将保持高压。
公共服务电子化设备只需要非对称的空间漏极和源极
, 但没有必要差异。

 

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