光耦合器杆位是公元前电容？

[eem2am]

喂，

如果我们使用光耦合器（如4N35 ）提供隔离反馈的开关电源，那么我们必须考虑到光耦合器极点配置（反馈稳定性分析）

。事实上，这是极不存在说
， 作为一个电容器，众所周知为C （杆） 。

开关电源县的初级光电晶体管有一个上拉电阻，
C类 （杆）电容说存在连接的光电晶体管县collectror的光电发射极晶体管县

对此ç （杆）电容器，它实际上只是实际收藏家基电容的光电晶体管？

 

[Guest]

电容器单独没有杆位，那么各自的电阻？当然这不是负载电阻红细胞。我建议β *红细胞作为一个粗略估计。或考虑晶体管作为电容倍增器，在这两种情况下β *建设银行*红细胞是时间常数。

答：作为一个结论，如果你想达到更高的带宽模拟光耦合器的应用，你应该减少负载电阻和/或经营耦合二极管模式。如果没有减少电压摆幅是可以接受的，积极的负荷需要，不论是在任择议定书余/
视频 转换器或双极晶体管栅阶段。

 

[Guest]

[No message]

 

[rfsystem]

晶体三极管的光耦合器不同于标准的双极晶体管
， 该地区要大得多
， 以获得更多的红外光
， 并进行深入的基础大得多吸收的相当大一部分红外线。有两个后果。

1 。内部建行是很高的。

2 。该基地的过境时间高

如果集电极电流不是驱动到低欧姆虚拟地面的米勒第效应增加了上述两个效果。

如果您录制的角落频率耦合超过目前的水平一样的晶体三极管金融时报的集成电路可以提取两个时间常数。

Tcoupler =锝 铽

1 。锝=建设银行*佛蒙特州/集成电路

2 。结核病= TransitTime

您可以进行线性回归如果您阴谋1/Ft超过1/Ic

人们可以争辩说
， 基极电阻高
， 但是目前的照片产生的少数人
， 如果重组在收藏家/基础耗竭区。所以没有自然的基极电阻。