关于在Cadence模拟晶体管问题

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EMfox

Guest
我尝试迁移到晶体管通过阅读由格雷和迈耶的教科书。仿真应该是最好的方式进入的方法洞察。

不过
, 我需要为出发点的意见,例如,如何在Cadence的模拟运行。我不知道吓我应该选择的供应,如何晶体管的大小,等等..

我已与CMOS经验,但我需要一些指导
, 得到一个简单的电路和运行
, 使我能够建立之上。

我试图谷歌的在线手册/指南,但它原来的CMOS是主导者。所以
, 请让我知道什么我就可以开始与...谢谢您!

 
这样做是没有晶体管魔术,如果你已经知道如何分析/设计马鞍山cicuit。始终起价直流工作点,这将确定晶体管目前的水平和相关的偏置电阻值。一旦你的直流工作点设置,然后你可以玩弄交流的体重和噪声仿真,然后对所有(如压摆率,总谐波失真等),其他规格暂态分析。当然,你需要记住一个单一的最重要的区别:在晶体管基极电流不为零
, 并从有限的基础输入输入阻抗-从MOS晶体管很大的不同。您将欣赏这种差别时
, 结识更多的和基础的模拟电路-超过80马鞍山分别对应%的晶体管更来源于我所引述的差异。

 
以上职位提供了最原始专题answear。我想补充一点意见了这一点。

1。的VCC选择,美可能需要寻找Bvceo(行政长官分解电压)是,Infact从一些时间限制powersupply。可以认为这ü门氧化物
, 如马鞍山击穿电压。但是
, 并非完全一样。
- “对新技术(异质结,异质结双极晶体管)的Bvceo真的非常低(甚至〜2V的)。对于discreate组件是非常高得多(〜10V至〜200伏)。

2.After确定Vcc进行了数学ü最能找到这本书(如上ü灰色迈尔)的偏见
, 并符合规范。

好运...
sankudey

 

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