关于微功耗设计

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我想询问是否有人知道适当的(与启动)的微功耗设计偏置电路。标准拓扑(强有力的inversiong)使用现在可以提供约45 nAmp电流,但是有一个速度和稳定性问题。斯洛伐克 和SR -很远不是对称的,糟糕的是
, 稳定时间是非常糟糕(约2毫秒)。
有没有办法解决?谢谢!

 
由于您的电路原理图
, 不可用,我的意见仅供参考。但45nA充电电流在2ms的似乎是合理的
, 因为启动电流太小。启动时间可以减少不断增加的启动电流。

 
嗨,
我一直在试图利用电流低至100nA的一种偏见generatin contantgm。我使用由Vittoz给予纸上的公式。

余=稀土热电压*(金)/收发

我遇到的问题是当我们为100n这是给150n设计。
您是否使用克/身份证methedology设计。此外
, 我们将通过它。
您是否使用仿真EKV模型,什么模拟器都是U使用。

 
您好安布雷
如果你想取回100nA的,你必须微调电路。
我听到克/ ID方法和尝试过
, 但我只用平方律或简单的薄弱反演近似。
既然我没有EKV模型,我没有用它。Hspice的是我最喜欢的模拟器。

 
您好paulux,

是的
, 我们不得不微调它。但是,50%的增长在目前是相当挫折。
我曾在2个不同的铸造和不同techonology它。并观察两种情况是相同的。我们仍在调试的问题。一个是模拟的幽灵和其他HSPICE的。
我们所阅读有关文件,并指出
, 弱反演需要很好的参考电流。
你的任何材料都知道
, 在疲软的运放反演设计讲座
, 并告诉如何输入摆幅,输出摆幅和其他参数可以预测的。

 
我不知道你提到的文件在您的设计?还是你介意你提供原理图?这个问题可能不会是由于运放。

我忘记了.....在这个时刻
, 其名称的文件的确切名称是.....
“阿全差分1.5V的低功耗CMOS运算放大器....."从IEEE
如果u可以找到确切的标题,也请告诉我们。

但我不知道这是否适合您的微安培电源的设计要求。

 
您好安布雷,

我们其实不使用在计算方面比克/ ID方法,我们只是用它如何估计的参数可以增加/减少这个规范要求。
我们使用HSPICE的。它是非常困难的比赛结果计算仿真结果。如此计算后,我们通常总是估计自己和反复模拟。对器件特性的结果似乎很不同模拟的。

 

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