在一个差分放大器散装连接

[Chethan]

嗨，
也有人告诉我应该如何使大量的NMOS晶体管在一个连接不同的安排
， 以消除人体的影响。

 

[suria3]

在不同配置中，晶体管的尾巴，大部分连接到地面，使散装和源在同一潜力。据此，NMOS管的输入，您可以应用的三重井晶体管，以便您能配合大量的源
， 以尽量减少身体的影响。但通常，在desiging差异放大器，NMOS管的大部分是连接到GND。

 

[Guest]

[No message]

 

[˳]

它德蓬对你的过程。
如果您使用的BiCMOS或p-well/SOI过程中，您可以conncet你NMOS管批量其来源。或您将其连接至GND

 

[Chethan]

如果我的NMOS管连接大部分地面，那么我的来源将是在比bulk.doesnt体效应来引入微分电位。我使用的正常ñ以及与P衬底的过程。有没有办法在哪里可以降低人体的影响。

 

[ccw27]

是的身体会有影响。ü可以使用一个三重的进程或PMOS的投入。

 

[jinxingsun]

U可以利用PMOS的投入
， 获得更好的，压摆率和1 GB / f噪声，但增幅将decrese。