在电流镜初效电压

L

lucky8

Guest
嗨,

我知道
, 电流镜电路电压效应初,弗吉尼亚我只知道一个方法
, 以减少其影响,这是运用到电路发射变性。

这还是有其他任何方式(S)以减少这一影响?

 
尝试使用级联结构。由于早期电压的影响反映当前镜有限输出电阻,使用级联可提升您的输出电阻
, 从而减少了等价早期电压的影响。

 
日thanx for答复。
是否有必要同时使用级联电路和发射极退化或其中的任何人会做什么?

 
发射变性是一种浪费
, 因为它涉及一个电阻器。为了提高电流镜的输出阻抗,cascoding几乎总是不够好,除非你的电压范围十分广泛。很多时候,这不是早期作用
, 但固有的不匹配,杀人,因此,关键是使用单位和大型设备
, 以改善匹配。

 
lastdance,

你是什么意思继承不匹配?做ü表示当前不匹配?

 
lastdance说:

发射变性是一种浪费,因为它涉及一个电阻器。
为了提高电流镜的输出阻抗,cascoding几乎总是不够好,除非你的电压范围十分广泛。
很多时候,这不是早期作用,但固有的不匹配,杀人,因此,关键是使用单位和大型设备,以改善匹配。
 
固有的不匹配是不匹配
, 由于这一过程中,你不要看它的SIM卡。
在目前的镜子,你可以有几何匹配,为如。,你想W为5U机架,但由于这个过程宽容,它最终可能会4.8u。为了提高匹配,你画较大的设备。您还可以测试和阈值电压不匹配而往往是占主导地位的不匹配参数。因此,你需要较大过载设计
, 以减少这些不匹配的效果。如果你能,做共同的质心。我一般不使用假人,他们不似乎帮助。
我的意思是提请单位的较大型设备。这是真的
, 如果你分解成许多小单元件大型设备,均可以得到更好的效果
, 因此匹配。但我不认为你应该使用最小尺寸的器件当谈到准确性。

 
lastdance说:

固有的不匹配是不匹配,由于这一过程中,你不要看它的SIM卡。

在目前的镜子,你可以有几何匹配,为如。,你想W为5U机架,但由于这个过程宽容,它最终可能会4.8u。
为了提高匹配,你画较大的设备。
您还可以测试和阈值电压不匹配而往往是占主导地位的不匹配参数。
因此,你需要较大过载设计,以减少这些不匹配的效果。
如果你能,做共同的质心。
我一般不使用假人,他们不似乎帮助。

我的意思是提请单位的较大型设备。
这是真的,如果你分解成许多小单元件大型设备,均可以得到更好的效果,因此匹配。
但我不认为你应该使用最小尺寸的器件当谈到准确性。
 
我认为
, 虚拟设备的匹配是非常重要的,因为你的外部设备将看到不同的边界条件
, 因此
, 不同的蚀刻率比较到您的内部设备。

到了方法,我们应该怎样划分的设备
, 有最大的匹配性能?例如我想匹配两个1pF的电容,我们应分为500fF,200fF,100fF,50fF甚至更小的单位呢?是否真的越小越好??

 
terryssw说:

我认为,虚拟设备的匹配是非常重要的,因为你的外部设备将看到不同的边界条件,因此,不同的蚀刻率比较到您的内部设备。到了方法,我们应该怎样划分的设备,有最大的匹配性能?
例如我想匹配两个1pF的电容,我们应分为500fF,200fF,100fF,50fF甚至更小的单位呢?
是否真的越小越好??
 
alchen77说:terryssw说:

我认为,虚拟设备的匹配是非常重要的,因为你的外部设备将看到不同的边界条件,因此,不同的蚀刻率比较到您的内部设备。到了方法,我们应该怎样划分的设备,有最大的匹配性能?
例如我想匹配两个1pF的电容,我们应分为500fF,200fF,100fF,50fF甚至更小的单位呢?
是否真的越小越好??
 
我想你不得到太多太细到一个单位打破。尽管这样说,当然,美可分为更细的单位,只需要确保设备几何不是那么小
, 扰乱大幅度的绝对值。但我猜ü烧伤做更多更细的单位面积。
但是
, 不喜欢共同的质心的事情,假人(不那么其相关性
, 确保这些天,有人说这不是有用由于更好的处理技术),接触匹配等

 
无疑,在布局分解成较小的部分较大的设备肯定会有帮助。唯一的限制是该地区。在设计,它总是建议有更广阔的设备
, 因为它有助于该器件即使在角落里举行了良好的条件

 
绝对领先Mocherla说:

无疑,在布局分解成较小的部分较大的设备肯定会有帮助。
唯一的限制是该地区。
在设计,它总是建议有更广阔的设备,因为它有助于该器件即使在角落里举行了良好的条件
 
那么小尺寸的大小在单位晶体管(或任何其他单元)可以提供可靠的结果。

如果我们需要考虑的W1/L1设备的电流I1中。您应该能够设置大小W1/L1 * 1设备/九龙这将提供一个可靠的电流I1中/光因此亩将是手指数目

 
绝对领先Mocherla说:

那么小尺寸的大小在单位晶体管(或任何其他单元)可以提供可靠的结果。如果我们需要考虑的W1/L1设备的电流I1中。
您应该能够设置大小W1/L1 * 1设备/九龙这将提供一个可靠的电流I1中/光
因此亩将是手指数目
 
terryssw说:绝对领先Mocherla说:

那么小尺寸的大小在单位晶体管(或任何其他单元)可以提供可靠的结果。如果我们需要考虑的W1/L1设备的电流I1中。
您应该能够设置大小W1/L1 * 1设备/九龙这将提供一个可靠的电流I1中/光
因此亩将是手指数目
 
pbs681说:

如果我们分解成更小的电阻大,我们将有更多的接触的权利。
而这种接触,电阻,因此将incerase整体电阻值....
像这个问题似乎....
任何评论
 

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