G
Guest
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嗨，
任何人都可以教我如何使用optocouple控制大电流DC负载？请我的电路设计....
谢谢.....
任何人都可以教我如何使用optocouple控制大电流DC负载？请我的电路设计....
谢谢.....
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I
instruite
Guest
说明写道：
报价：
任何人都可以教我如何使用optocouple控制大电流DC负载？
请我的电路设计....
报价：
任何人都可以教我如何使用optocouple控制大电流DC负载？
请我的电路设计....
I
IanP
Guest
你认为“线性”控制或只开/关？
此外，有多大的负载（电压/电流）？
这里有一个开关为10A的例子：
http://www.phoenixcon.com/products/interface/db/datasheets/DEK-OV-10A.pdf
关心，
IanP
此外，有多大的负载（电压/电流）？
这里有一个开关为10A的例子：
http://www.phoenixcon.com/products/interface/db/datasheets/DEK-OV-10A.pdf
关心，
IanP
G
Guest
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[No message]
G
Guest
Guest
IanP说：
你认为“线性”控制或只开/关？
此外，有多大的负载（电压/电流）？
这里有一个开关为10A的例子：
ħ ** p：/ / www.phoenixcon.com/products/interface/db/datasheets/DEK-OV-10A.pdf
关心，
IanP
你认为“线性”控制或只开/关？
此外，有多大的负载（电压/电流）？
这里有一个开关为10A的例子：
ħ ** p：/ / www.phoenixcon.com/products/interface/db/datasheets/DEK-OV-10A.pdf
关心，
IanP
I
IanP
Guest
A1是逻辑信号
A2是逻辑为0V（接地）
A是（ ）的直流电源
去负荷之间（ - ）和（0）
由于MOSFET的你将不得不使用一个P沟道的超低RDS的功率MOSFET（上）。
例如：IRFP9140为200V，40A条的Rds（on）=0.04Ω
关心，
IanP
很抱歉，您还没有登录查看此附件
A2是逻辑为0V（接地）
A是（ ）的直流电源
去负荷之间（ - ）和（0）
由于MOSFET的你将不得不使用一个P沟道的超低RDS的功率MOSFET（上）。
例如：IRFP9140为200V，40A条的Rds（on）=0.04Ω
关心，
IanP
很抱歉，您还没有登录查看此附件
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IanP说：
A1是逻辑信号
A2是逻辑为0V（接地）
A是（ ）的直流电源
去负荷之间（ - ）和（0）由于MOSFET的你将不得不使用一个P沟道的超低RDS的功率MOSFET（上）。
例如：IRFP9140为200V，40A条的Rds（on）=0.04Ω关心，
IanP
A1是逻辑信号
A2是逻辑为0V（接地）
A是（ ）的直流电源
去负荷之间（ - ）和（0）由于MOSFET的你将不得不使用一个P沟道的超低RDS的功率MOSFET（上）。
例如：IRFP9140为200V，40A条的Rds（on）=0.04Ω关心，
IanP
I
IanP
Guest
附件是一个光耦合器和电阻器的需求PMOSFET中图。
如果你想直接驱动光电耦合器会来回一针
， 然后更好的选择将是连接A1至 5 V电源供电的微控制器和A2密码。
组件是短暂的vltage基因抑制物
， 以防止电压浪涌..晶体管13至14
为了推动3A条您需要外部晶体管刺激电流。
光耦合器只能建立毫安..
关心，
IanP
很抱歉，您还没有登录查看此附件
如果你想直接驱动光电耦合器会来回一针
， 然后更好的选择将是连接A1至 5 V电源供电的微控制器和A2密码。
组件是短暂的vltage基因抑制物
， 以防止电压浪涌..晶体管13至14
为了推动3A条您需要外部晶体管刺激电流。
光耦合器只能建立毫安..
关心，
IanP
很抱歉，您还没有登录查看此附件
G
Guest
Guest
嗨，
亚我决定使用加州控制。因此，直流输出电流消耗depent我们的P型MOSFET的支持是什么？为什么我们dont正常使用晶体管...驾驶它，什么
， 什么MOSFET的优势
， 为晶体管disadvatage？
*我需要comfirm再次，我们使用的是N或P型
， 因为您的绘图N型？
谢谢你的解释.....
<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />谢谢您
亚我决定使用加州控制。因此，直流输出电流消耗depent我们的P型MOSFET的支持是什么？为什么我们dont正常使用晶体管...驾驶它，什么
， 什么MOSFET的优势
， 为晶体管disadvatage？
*我需要comfirm再次，我们使用的是N或P型
， 因为您的绘图N型？
谢谢你的解释.....
<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />谢谢您
I
IanP
Guest
绘图错误：对PMOSFET的箭头应在相反的方向..
你可以使用普通的功率晶体管（民进党取代PMOSFET的，或者如果您反向电路
， 可以使用NPN电源tansistor）。
在大多数情况下
， 您将使用达林顿晶体管，原因是晶体管的增益因子：β。
要注意的集电极电流集成电路=β*磅，其中Ib是基极电流。
因此，举例来说，如果β晶体管的是50，并且您想要集成电路= 3A时的磅= 3A/50≈60mA的
如果，另一方面，您使用一个达林顿晶体管的基极电流将高达darligton晶体管的β“500人，退出往往较小的数千名..
所以
， 你可以看到你需要控制的“泵”的一些权力基础
， 以实现预期集成电路晶体管晶体管。
在你需要的MOSFET期间在MOSFET的栅极电压快速trasnition一些的时间很短的时间功率案（充电/放电门的电容）。之后那一刻
， 你只需要保持MOSFET的电压门和门的电流是微不足道的..
关心，
IanP
最后由IanP编辑于2005年8月26日6:20;编辑1次共
你可以使用普通的功率晶体管（民进党取代PMOSFET的，或者如果您反向电路
， 可以使用NPN电源tansistor）。
在大多数情况下
， 您将使用达林顿晶体管，原因是晶体管的增益因子：β。
要注意的集电极电流集成电路=β*磅，其中Ib是基极电流。
因此，举例来说，如果β晶体管的是50，并且您想要集成电路= 3A时的磅= 3A/50≈60mA的
如果，另一方面，您使用一个达林顿晶体管的基极电流将高达darligton晶体管的β“500人，退出往往较小的数千名..
所以
， 你可以看到你需要控制的“泵”的一些权力基础
， 以实现预期集成电路晶体管晶体管。
在你需要的MOSFET期间在MOSFET的栅极电压快速trasnition一些的时间很短的时间功率案（充电/放电门的电容）。之后那一刻
， 你只需要保持MOSFET的电压门和门的电流是微不足道的..
关心，
IanP
最后由IanP编辑于2005年8月26日6:20;编辑1次共
S
SkyHigh
Guest
帮助报价：
亚我决定使用加州控制。
因此，直流输出电流消耗depent我们的P型MOSFET的支持是什么？
为什么我们dont正常使用晶体管...
驾驶它，什么，什么MOSFET的优势，为晶体管disadvatage？*我需要comfirm再次，我们使用的是N或P型，因为您的绘图N型？
亚我决定使用加州控制。
因此，直流输出电流消耗depent我们的P型MOSFET的支持是什么？
为什么我们dont正常使用晶体管...
驾驶它，什么，什么MOSFET的优势，为晶体管disadvatage？*我需要comfirm再次，我们使用的是N或P型，因为您的绘图N型？
P
pra_edaboard
Guest
可我开车的光电耦合器pc817 TIP122（驱动8051）？