如何分辨发射极晶体管集电极

[fvnktion]

喂，

试图电路设计使用偏见晶体管。我的原型晶体管npn型标准中，离散to92和PNP晶体管。我quesioning结果我gettting并正尝试找出一种办法能够分辨发射的收藏家。我可以测试2 pn结分辨npn型进步党，但我不知道如何分辨之间的C和E的数据表显示了单位和3点前的t092包，并说底，我认为底部认为
， 这意味着我在看
， 从底部针
， 因为它们进入人体，但我不能肯定。

我之所以问题哪个是哪个，是因为我越来越当切换5V至- 5V的的Vce相同的结果。余dont相信这是一个好主意
， 这样做，但我测试晶体管的参数。此外，你能告诉我什么原因
， 从一个高电流输出基地发射？？在某些配置的收藏家正在绕过，该基地正在运行的电流，这样五○○毫安太多标准操作。

怎么样好书，为不同byassing技术什么好建议晶体管的？

 

[Borber]

俯视图是当你在与拒绝针晶体管寻找。从身体的指示引脚。底视图方向是由引脚身体。
如果我没有理解您应用基础和发射极之间的5V的。在这种情况下基极电流非常高
， 可能会损坏晶体管。基地发射极电压不大于1V的正常（一般是0.65五）。

 

[Guest]

fvnktion，
大多数BJT管有一个基地发射极反向电压约7伏击穿电压。连接从基地发射极通过限流电阻器
， 直流电源和测量击穿电压。该基地，发光二极管会像采用7V齐时反向偏置。收集器电压基准打破了将高得多。
〜
大多数平面BJT管有一个约2测试时
， 发射器和收集有关互换。这可以欺骗你，因为晶体管的运作虽然测试非常低（约2）和低集电极，（这实际上是物理发射）的基础击穿电压。
关心，
克拉尔

 

[fvnktion]

感谢Borber，有意义至于方向。我只是用一个开关的晶体管，如果它不关心在饱和或工作状态下的。5伏过多的基础，但目前似乎是有限的监管机构之前
， 明显受到损害。

基本上我所要做的就是打开和关闭2至马达
， 共享一个节点当前的路径。当一个电动机运行它放在第二之间的H桥的共享节点volatage英寸我试图用一个晶体管npn型民族党对分离出的非运行电机运行的电机。我使用的NPN和PNP，以便为双向电流方向流动。我不知道我是否能够在此配置中运行
， 由于电压从0V转变
， 从收集到12V至发射的transitors。我不是非常有经验的偏置和我想知道如果有可能的隔离晶体管运行在这种配置的？？任何想法或意见将是巨大的。

我重视的一个很粗糙的东西
， 我想做的基本概念示意图

 

[Guest]

很抱歉，您还没有登录查看此附件

 

[aryajur]

您好fvnktion，
在这条赛道，我猜
， 你的双马达逾时有你想要拥有控制权
， 以便在两个方向旋转他们。对于
， 您可以查找H桥集成电路有一个像你类似的想法正在尝试做的。在分立元件方面你可以尝试连接晶体管之间的4您作为第一季度和Q5的运动。只要发生了Q1的（npn型与连接到接地线连接到汽车终端收藏家的Q5s的收藏家）Q5s（民族党）的排放应连接到了连接到正行和收藏家的排放积极线连接该发动机。
你还需要添加二极管短路背面电动势的电机线圈上的发展时
， 关闭。同样的事情你可以与其他汽车。所以
， 你不需要在你的图表底部的4个晶体管。
寻找发射器，如果你能找到一个万用表测量晶体管的测试版
， 那么你可以尝试这两种配置
， 找到较高的测试
， 从而确定一个发射器。否则
， 做一个简单的行政长官设置放大器的集电极电流通过的任何数据表规定了试用版
， 然后测量测试手动。不要为configs，你会知道较高的测试配置
， 这是righ引脚识别。而是这只是要求别人如何解释数据表引脚图

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_biggrin.gif" alt="很高兴" border="0" />

 

[sheraz.pervaiz]

你可以找到基地码头容易。请与另外两个terminals.The组合而成
， 是给你一个低电阻的基极电阻的基地发射极连接处二/三是重掺杂发射
， 这意味着更低的电阻。

希望这会帮助你。

 

[aryajur]

的IR压降只有当你看到一个PN结的高电流
， 所以我不知道
， 衡量的阻力
， 工作或没有方法。