如何找到MOSFET的氯氟

S

satyakumar

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大家好,
任何机构可以帮助找到从W报,身份证,(栅极电压阈值电压的MOSFET氯氟我)
感谢所有
关心
satyakumar

 
嗨!
Lamda是工艺参数
, 它没有任何设计参数
, 美提及。对于工艺参数
, 我觉得u必须给予期望的半导体工艺和BSIM手册将被提到如何lamda计算。

 
在BSIM拉姆达没有直接的公式存在
, 因为它在许多不同的参数depnds。但你的手计算
, 您可以模拟一个简单的个CKT(如CS)和从输出paramters香料
, 然后作出有关拉姆达近似:身份证=钾/ 2 *(栅极电压阈值电压)^ 2 *(1 拉姆达* VDS)的

 
Lamda是无法修复的晶体管的价值。不同的是不同的偏压和不同型号的晶体管。您可以通过绘制的ID -讥曲线
, 并找出在特定偏置梯度你想要的曲线。梯度是lamda价值。这就是我知道的。

 
拉姆达随工艺,设备参数等。simualte简单的场效应管的ID,讥char和扩大我行- VDS的轴,点它削减给ü 1/Lamda。
或者
, 如果u必须乌尔场效应全球分销系统,然后Lamda =全球分销系统/身份证
请注意
, 其差异不同。的ID值也

 
由于众所周知,λ是一个给定的W值/ L时,栅极电压,漏源电压。因此,对于给定的晶体管,定出马鞍山工作在饱和区和运行直流工作点仿真所有这些。

研究
, 马鞍山铁路发展研究的价值和IDS thro'了。
计算λ使用以下关系:

λ= 1 /(铁路发展策略*标识)希望这有助于!<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_smile.gif" alt="微笑" border="0" />
 
satyakumar说:

大家好,

任何机构可以帮助找到从W报,身份证,(栅极电压阈值电压的MOSFET氯氟我)

感谢所有

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satyakumar
 

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