如何获得最佳的噪音阻抗使用幽灵？

coud您提供给我们更多的细节？
请解释更explicitally

 
如果我清楚地记得，表演S参数仿真
， 使噪声计算，有一些成果
， 如NFopt ，但我不能肯定Ropt可用。肯定不是Gmin 。
忍冬

 
当一个新的设备是捏造的，是的Nopt发现的试验和错误使用非常低的损失存根调谐器。我想同样的程序可以适用于幽灵（不推荐） 。据一些老经验丰富的工程师我
已经 处理了，一个好的经验法则是
， 大约一半是Nopt之间Gopt和中心的史密斯图表。

 
做了S参数分析。
然后转到成果“直接阴谋- ”的S -参数
， 然后选择该项目称为噪声界。然后ü可循环的噪音阴谋的噪声系数= NFmin 。在nfmin可以得到从策划NFmin直接。然后ü不会得到一个圆圈
， 但单点的史密斯图表。现在
， 只要将鼠标指针乌拉圭回合这一点
， 并宣读了最佳噪声阻抗
多数民众赞成在它..简单..... ü只需要使用基本面和使用模拟器
， 以帮助您

好运

这样的答复
， 如果需要帮助ü

我将详细阐释<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_surprised.gif" alt="惊讶" border="0" />
 
由于v_naren ！

但什么是Gmin ，从spetre手册， Gmin是反射系数与最低噪声系数，是同样的事情当你？

此外，当我碰到NFmin和阴谋数控（噪音的圆圈内） ，你如何指定频率，而不是频率。范围？

对于低噪声放大器的设计，你如何获得晶体管尺寸（双极晶体管）的Ropt ？此外，似乎没有人使用其他的片上电感的排放变性而不是使用直接下跌bondwire （ 0.5nH ） ，
对不对 ？因为如果你计算乐=卢比/体重50ohm/40GHz = 0.2nH为50Ω的输入匹配，因此，如果bondwire 0.5nH “ 0.2nH ，那么我们将得到较大的输入阻抗不是50Ω的，
对不对 ？

你能告诉我更详细的SiGe双极晶体管的低噪声放大器的设计过程？

 
1 ）正如你说Gmin是正确的反射系数与最低噪声系数。 （
γ 最低因子参系数） 。当我策划Gmin和我搬到了我的游标曲线你归阻抗值的频率范围内...这意味着我Zopt/50 。

2 ）关于数控...当ü选择数控选项只是选择噪音水平
而非“频率” ，以横扫的“
S -参数”结果对话框。然后ü只需要输入一个频率。您可以输入各种价值观的噪声系数得到噪声循环阴谋。现在如果你在这里
输入噪声系数范围说
， 0至5 （分贝） ，那么我们的
 
很好解释v_naren ！
和，以及，我曾经说过一个愚蠢的事情说：
当然 不是Gmin 。我
已经 检查和你说得对。下一次... ...然后先验证

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_cry.gif" alt="哭或非常悲伤" border="0" />忍冬

 
感谢你， v_naren ！

但是
， 如果你把更大的片上电感，当然您可以随时匹配50欧姆，但是你将有较大的再保险公司的申请，您将获得更多的噪音？这是一个优化设计程序？因为我看见人们选择正确的设备规模和乐
， 使锌= 50Ω的再然后
， 只需使用最小二乘取消
林的申请。

此外，另一个问题，当我扫了晶体管的大小，那么，
我 应该再Gmin = 50Ω的，
但我非常混淆Z11也明（端口的输入阻抗） ，似乎我们最终关心的申请不Gmin相匹配
， 以50ohms ，
对不对 ？我是否需要作出重新ZM1或重新Z11为50欧姆
， 而非再Gmin ？有什么区别Z11 ＆明？

 
1 ）我觉得我没有解释得很好...
我 说
， 使用更大的电感的来源
， 使ü重新获得（姜） “ 50 ... ...然后它确定ü使用L形匹配网络使再（锌） = 50时的投入
， 这阻抗匹配网络。meaing ü第一次使用大电感器的发射然后ü使用另一个L时， ç网络
， 使最终的申请= 50 j0 。这将不会引入额外的噪声理想...一切都无损要素

2 ）
美国 不要再作出（ Z11 ）或重（ gmin ） = 50 ！

ü使锌= 50 。多数民众赞成...和U自动获得最低噪声系数的最佳设备宽度请参阅为
1.5V 1.5GHz
的 CMOS低噪声放大器的托马斯李和德里克Shaeffer在JSSC ....我觉得ü理解低噪声放大器设计以及enuf ...对我来说
， 试图解释过去部分....好运

 
我想你误会我的问题。

我知道你的比赛的申请
， 以50Ω的，但你怎么衡量的申请？您运行藻分析使用幽灵然后看看Z11 （重＆ IM ）或ZM1 ，
对不对 ？

同时，对低噪声放大器的设计，我认为他们使用的是一些设计方法
， 同时噪音和功率匹配的晶体管。他们横扫thansistor尺寸（发射器长度）获得再保险股份有限公司（ Gmin ） = 50Ω的，然后选择乐
， 使再保险股份有限公司（锌） = 50Ω的。我的问题是，当我扫了晶体管的大小
， 以找到合适的大小可再生能源（ Gmin ） = 50Ω的，
我 可以使用重（ Z11 ）或重（ ZM1 ）也找到了晶体管的大小？我感到困惑的Gmin ＆ Z11这里。

也为噪音问题，我犯了一个错误，即使是较大的乐获得更大的再保险股份有限公司（锌）的NF应该相同，因为乐补充equevinent电阻，
而 不是身体的电阻。刚才包谁是真正的电阻贡献噪音。

 
是正确的...这就是!!!!!

以下是ü需要做....

只要诱导src中德劲阶段
， 因为许多BJTs作为.... ü ü可不能在这里横扫任何!!!!!...

ü需要建立BJT1和Le1和BJT2并找到Le2 ....所有的时间
， 例如
， 重新（ Z11 ） = 50Ω的....总是这样
， 直流功耗是一个不断与每一个晶体三极管手段ü需要改变偏压每次...例如..如果说ü ü将烧伤20mW ...然后ü确保直流电源是20mW每一个晶体三极管。

现在ü需要找到噪声系数每次.....噪声数字将达到最起码的对某一特定大小的晶体三极管。多数民众赞成

现在只使用这个“最佳规模”晶体三极管
， 使乌拉圭回合的LNA 。大电感在发射乐...例如说
， 你把乐= 2nH 。

然后让说ü获得输入阻抗基地200 j 67欧姆

现在只使用一个无源无损L匹配网络将这个50 j 0或而是50Ohms .....多数民众赞成在所有的程序是... ü可以做的事情的带通在收藏家的栅...和U获得低噪声放大器<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_surprised.gif" alt="惊讶" border="0" />从理论的文件是

为给定的直流功耗只有一个MOSFET和宽度有一定的设备技术
， 在任何一个给定的频率。

这样的0.18
微米 CMOS工艺在2.45
GHz的 ...的MOSFET和宽度420um将尽可能最佳的噪声指数...这是....我只是概念了普遍伎俩或“技巧”地发现
， 最佳大小
， 但在晶体三极管使用模拟器本身...意大利我自己的诀窍...我不知道一个双极晶体管如果存在一个最佳的器件尺寸所有???... cuz我设计的CMOS这款低噪声放大器的研究只在我

 
v_naren写道：4 ）确定...是你是正确的...但有一种方法解决这个问题...
<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_surprised.gif" alt="惊讶" border="0" /> ...你可以做的是建立一个....镑“ 0.2nH .........然后真正的组成部分输入阻抗将野生*镑” 50Ohms ...权?!!!. ..例如说ü使用片上电感的值= 1.5nH然后重= 40GHz和LS = 1.5nH

锌=野生*镑 金威（镑 LG队） （ 1/jwCbe ）现在ü *将获得重镑= 377Ohms ....什么ü现在所能做的就是再增加匹配网络的基础之间的晶体三极管和50Ω的源代码将这个377 学者...
到50Ω的...现在ü不需要使用bondwire如u故意使用较大Ls和ü将使用另一种简单的立法会匹配网络转换大377 学者..
到了50Ω 。
这是可以做到的使用史密斯图表设计。本人设计的CMOS这款低噪声放大器，因此我知道的最佳设备的宽度和所有..但设计程序是相同的....我不知道是否有optiumum器件尺寸的最低噪声系数为基础的这款低噪声放大器的SiGe .... ü网尝试Prof.thomas李登辉的图书阅读基于CMOS的这款低噪声放大器使用感应源变性技术.... byebye<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_surprised.gif" alt="惊讶" border="0" />
 
什么是您的输入阻抗现在的1nH电感？

只需使用一个简单的L形术匹配网络...不要你知道该怎么做阻抗变换采用L和C ？ ？

请参阅射频电路设计由Chris Bowick或一个由法国贝瑟这两者都是可以在这里elektroda ....这将有助于改变输入阻抗在门口看到的MOSFET的从您的更大价值50OHMs利用这一点。

 
感谢v_naren 。

我们应该添加额外的匹配网络的芯片或芯片？

 
您可以将其添加在芯片或关闭芯片...我不知道你为什么问这个特别？

我建议ü新增把芯片...如果可能的话再一次ü作为制造集成电路然后ü可以得到确切的申请
， 然后使用外部L和ç安全
， 实现了50Ω匹配的主要投入将外现在。<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_surprised.gif" alt="惊讶" border="0" />
 
v_naren写道：

是正确的...这就是!!!!!以下是ü需要做....只要诱导src中德劲阶段，因为许多BJTs作为.... ü ü可不能在这里横扫任何!!!!!...ü需要建立BJT1和Le1和BJT2并找到Le2 ....所有的时间，例如，重新（ Z11 ） = 50Ω的....总是这样，直流功耗是一个不断与每一个晶体三极管手段ü需要改变偏压例如每次... ..如果说ü ü将烧伤20mW ...然后ü确保直流电源是20mW每一个晶体三极管。现在ü需要找到噪声系数每次.....噪声数字将达到最起码的对某一特定大小的晶体三极管。
多数民众赞成现在只使用这个“最佳规模”晶体三极管，使乌拉圭回合的LNA 。
大电感在发射乐...例如说，你把乐= 2nH 。然后让说ü获得输入阻抗基地200 j 67欧姆现在只使用一个无源无损L匹配网络将这个50 j 0或而是50Ohms .....多数民众赞成在所有的程序是... ü可以做的事情的带通在收藏家的栅...和U获得低噪声放大器

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_surprised.gif" alt="惊讶" border="0" />

从理论的文件是为给定的直流功耗只有一个MOSFET和宽度有一定的设备技术，在任何一个给定的频率。这样的0.18微米CMOS工艺在2.45 GHz的...的MOSFET和宽度420um将尽可能最佳的噪声指数...这是....我只是概念了普遍伎俩或“技巧”地发现，最佳大小，但在晶体三极管使用模拟器本身...意大利我自己的诀窍...我不知道一个双极晶体管如果存在一个最佳的器件尺寸所有???... cuz我设计的CMOS这款低噪声放大器的研究只在我
 
420um是0.18
微米 CMOS工艺使用...我是正确的..它消耗大量电能
， 从而ü需要设置vgs非常接近
， 因此乌拉圭回合Vth的输入信号摆幅有限底部结束vgs佛蒙特州。

 
v_naren写道：

420um是0.18微米CMOS工艺使用...我是正确的..它消耗大量电能，从而ü需要设置vgs非常接近，因此乌拉圭回合Vth的输入信号摆幅有限底部结束vgs佛蒙特州。
 
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