晶体管问题

[Guest]

兰博说：

好吧，我只是一个导火索引爆，但看起来它在约200mA的正确解决前他到零。
这将使意义，因为从目前的电池应该是一七

 

[Guest]

所以，我在读一些彩网站的MOSFET开关将是理想的电磁。所以
， 我获得了一些-为它的模式是rfp12n10l。我有一个分压器来关闭了555前往门计时器输出。我有来源挂接到地面。我有一排挂钩的螺线管的一面。一切看起来完美的工作时
， 我只是测试
， 电磁
， 但是当我钩电磁备份的烙印和抓地力框架问题
， 因为我提出的螺栓上的烙印
， 直接由电磁控制了很多力量。所以
， 似乎我需要更加目前还没有前往螺线管。MOSFET的我现在的额定一零安培和MOSFET得到漂亮用后一段时间
， 因此我假设我只是需要一个MOSFET，能够处理更多的电流热。我看着一对夫妇和一个人的
， 这些都是30安培的成本额定如5钱一块。我想知道你们可能知道哪一个我
， 因为我不想浪费在一些不工作
， 我的钱。谢谢了。

 

[XNOX_Rambo]

您好兰博，

是否枪现在的工作，即使MOSFET的变热？

该RFP12N10L有的RDS（ON）为0.2Ω，如果10A条通过晶体管的流动
它就会消失P =里˛= 0,2 * 100 = 20瓦-不少...

显然
， 你不能降低电流使您唯一的选择就是找到一个
MOSFET的低的RDS（ON），如用的RDS（ON IRF540N）= 0044Ω=“4,4 W号
耗散。
另一种常见的伎俩
， 以减少阻力是连接几个MOSFET的
并行。如果空间允许你可以尝试
， 太多。

/兰博

 

[Guest]

其实我试图用平行其中两个
， 并解决了散热问题，他们似乎并没有得到长期使用后
， 热得多。但问题是我还没有足够的电流通过电磁枪火去。因此
， 我认为我需要一个更高的额定电流的MOSFET。这就是为什么我想知道哪一个我应得的。

 

[XNOX_Rambo]

有两个平行的电阻为0.1Ω，如果10A条通过他们流向
在晶体管的电压将下降为u =里= 0.1 * 10 = 1V的
由于电池为9V你失去的10在MOSFET的电压％。
听起来并不太差，但电磁可能在设计上
， 它需要每
最后伏特。

什么是电磁阻力？如果你知道电感也将
是有益的。

该IRF540N将处理的连续电流33A条和一个已废除脉冲1 -
它应该做的伎俩...

<img src="http://www.edaboard.com/images/smiles/icon_wink.gif" alt="眨眼" border="0" />/兰博

私人秘书顺便说-你说你有一个555驱动晶体管（拧）。有多长
脉冲
， 它生成？如果它太短通过螺线管电流会
过早切断。

 

[Guest]

其实
， 我在看股票董事会和我在它认为
， 螺线管是由一个的HEXFET MOSFET的驱动
， 就像IRF540您刚才的建议。我也看了它的额定电流35A条
， 就像是一个我
， 而现在正在使用只10A额定。因此，它看起来像您刚才的MOSFET的建议
， 应该很好。另外，我发现了一个点的价格为0.99他们。是的，我已经检查
， 以确保问题不在于对脉冲太小。我只造了555，以便它总是在“”，而且仍然没有获得成功。非常感谢。