Jan 26, 2001 #3 D devrimaksin Guest 当然 ， 场效应管 我猜想 ， 因为你问狭窄通道 而不是短期的渠道，你问是什么 影响小通道宽度（ 宽 ） 。 如果您减少太多的通道宽度太多，你的有效阈电压将增加 一点点。这是由于下列原因，当您提请布局晶体管，你有额外的 聚超过扩散区。现在下这个额外的部分，当MOSFET的是打开的，有些是负责收集 ， 这些被盗的渠道。如果该地区的有效渠道对这一领域的小（其中发生小瓦特值） ， 其中 一些频道收费被盗的这部分不是帮助channle颠倒（这相当于增加阈电压。 ） 现在短期频道是另一个故事
当然 ， 场效应管 我猜想 ， 因为你问狭窄通道 而不是短期的渠道，你问是什么 影响小通道宽度（ 宽 ） 。 如果您减少太多的通道宽度太多，你的有效阈电压将增加 一点点。这是由于下列原因，当您提请布局晶体管，你有额外的 聚超过扩散区。现在下这个额外的部分，当MOSFET的是打开的，有些是负责收集 ， 这些被盗的渠道。如果该地区的有效渠道对这一领域的小（其中发生小瓦特值） ， 其中 一些频道收费被盗的这部分不是帮助channle颠倒（这相当于增加阈电压。 ） 现在短期频道是另一个故事
