的超高频波段（500meg〜900meg）VCO的设计不禁问

[heng155]

基于超高频波段（500meg〜900meg）VCO的设计不禁问

我的VCO：
.3.3 V源电压，0.18微米中芯国际的音乐库

。使用互补交叉耦合对
。利用PMOS管提供尾电流
---所有MOSFET是射频摩西
下午二：可湿性粉剂= 1:4根据联合国：涨

。使用外部芯片的LC -坦克
---变容二极管：英飞凌bb659c
---电感：射频绕线电感器芯片蜇“18n，研究，”0.22

我是在IC设计雏学生。我已经尽了每一个贫困的努力

（改变宽/长和尾电流变化），但相位噪声性能
仍不能接受（为- 85dB，我的VCO很少达到这个标准是所有波段）。

我想会的Q值反坦克是太高，VCO的很容易
子驱动的电压限制区域。也许我应该减小的W /的摩西蜇
其中provid负阻，但中芯国际没有窄射频MOSFET的。

我的猜测是合理的？你能给我一些好主意
， 优化本
压控振荡器？在兼顾优化的具体方法将十分赞赏。感谢u！

西蒙兹：
中芯国际提供射频MOSFET的：
3.3 fingerwidth channellength fingernumber
NMOS管10U的0.35〜0.5 8〜24（偶数）
PMOS管10U的0.35〜0.5 8〜24（偶数）
NMOS管5U机架0.35 12〜32（偶数）
PMOS管5U机架0.35 12〜32（偶数）

 

[heng155]

没有答复- _ -！
我问了一个愚蠢的qestion或者我问一个愚蠢的方式来qestion？

 

[biff44]

“Q值信用证反坦克太高”

您应该研究Q发表振荡器的相位噪声的影响。有一些容易理解的李森的书面文件。如果你的相位噪声是太穷了，你需要更高的问

 

[heng155]

我不这么认为。
我的条件是一个极端的，一个正常的振荡器的Q值是几十个，而我的是几百人。高Q值意味着高相当于水库，这意味着较低的固定输出摆幅电流。而这将意味着更小的w/l--“高1 / f噪声
谢谢！

 

[Guest]

[No message]

 

[Guest]

你刚才提到-85分贝（我想你想说-85 dBc的），但抵消？
你所面临的闪烁噪声（接近，〜-30分贝/ 12月）或热一（远远低于载波，〜-20分贝/ 12月）？
忍冬

 

[psmon]

您如何连接的片电感你的芯片？？可怜的连接增加阻力和降低的Q