谁能教我如何模型芯片电容器？ ！

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亲爱的所有....

任何一个可以教我，或告诉我一些文件，以了解如何提取物对芯片电容器模型....也是Q因子...
（当然，如果我有一个S参数测量形式芯片电容器...我该如何使用这一提取所有的等效电路？ ！ ）

Thanx ！伊犁

 
一种很快速的方式，但非常近似，是使用台票模型广告。您可以优化模型pearameters获得您的S参数测量。

 
很抱歉，请问你...
台票模式是什么？ ！
以及如何使用它的广告...?!
可我发现
， 在广告狲？ ！
我应该安装一些呢？ ！

只是设置一些目标
， 以配合S参数的模型测得的数据？ ！

THANX 〜

 
你可以找到薄膜电容器（台票）模式下的TLines微带调色板。这是一个建于模型的薄膜电容器。

 
thanx ...

我一直努力的....
但实际上... ...我想模型电容器硅基地...
（ CMOS工艺下） ...
所以我不能肯定这是否将工作或不〜 〜 〜
（该台票模式似乎并不需要我给它任何CMOS参数... ）Oooops ...

 
该台票模型适合综合平行板电容器。如果这不是你
的 情况下
， 您必须对一些自定义集中元模型
， 您可以找到在IEEE - MTTS （例如） 。

 
我看到IC设计使用@ nsoft H 〜 F 〜语〜 S到模型
集成电路电感器和帽子，然后在港口至C （上）证据
他们似乎得到良好的相关关系模型
和集成电路。我相信用TMSC和它在
CMOS或BiCMOS工艺。您可能想要找到任何集成电路工厂
房子
， 看他们是否有任何指导方针或图书馆。

希望这可以帮助。
干杯

 
我建议为您的应用程序使用的动力模拟
实际电容器几何您使用。您可以导入您的GDSII的文件直接进入广告布局做到这一点。如果您确定您的硅衬底的损失
， 也是正确处理层然后你会得到一个非常准确的结果。本人模拟完成MMICs这样具有优良协议测量高达W波段。

 
您需要更为复杂的不仅仅是S参数。你可以非常准确的结果在A /
否 /
S模式 /
输出 /
法 /电子/
否 /
S模式中 /
英 /的M /
B /
L的 /
E 或A /
D转换 /钐/
输出 /
男 /
电子 /
否 /
吨 / ü /
男， 因为这个问题处理好了2.5
维 电磁模拟器。或H /
法 /的S / s如果希望一个真正三维的答案
， 但是这不是真的有必要。这取决于你有什么软件的使用。

 
经由电磁模拟器，该曲线拟合方法
， 还需要。
但是
， 这将创造大量的模式。

 
更多实用方法....

测量夹具50欧姆的线路和一个小的差距或电容...
测量夹具芯片电容器焊料上..
假设对称性夹具，去嵌入的Y参数的芯片电容器从总体衡量Y型参数。

 
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