H
husseinadel
Guest
你好
我可以用乘法因子100电流镜？？？我不关心很多情况下,,,????准确匹配，，，，预计今年在哪些错误
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我可以用乘法因子100电流镜？？？我不关心很多情况下,,,????准确匹配，，，，预计今年在哪些错误
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D
demodb
Guest
是的，你可以使用一个晶体管因素100间繁殖镜子当前的研究。
H
husseinadel
Guest
demodb说：
是的，你可以使用两个晶体管之间的100个因素繁殖照镜子的电流。
是的，你可以使用两个晶体管之间的100个因素繁殖照镜子的电流。
D
demodb
Guest
你说的不匹配在这里，因为我知道这是取决于晶体管的宽度。因此，使他们更广泛地将减少不匹配。
H
husseinadel
Guest
demodb说：
你说的不匹配在这里，因为我知道这是在晶体管的宽度而定。
因此，使他们更广泛地将减少不匹配。
你说的不匹配在这里，因为我知道这是在晶体管的宽度而定。
因此，使他们更广泛地将减少不匹配。
G
gharuda
Guest
自乌拉圭回合multipilcation因素是大型即100。这将导致
1）大面积
2）源漏极寄生capacitence和栅极电阻
如此的更好匹配和减少/天盖u需要spitt的tranistor。甚至随地吐痰是首选，这将降低乌尔D区capacitences，她/将优化栅极电阻。
瓦特/升 16 / 2，然后进一步= 32 / 1然后波及的16 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2等。
由于交界capacitences是减少了tranistor速度将增加
1）大面积
2）源漏极寄生capacitence和栅极电阻
如此的更好匹配和减少/天盖u需要spitt的tranistor。甚至随地吐痰是首选，这将降低乌尔D区capacitences，她/将优化栅极电阻。
瓦特/升 16 / 2，然后进一步= 32 / 1然后波及的16 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2等。
由于交界capacitences是减少了tranistor速度将增加
H
Hooda
Guest
gharuda说：
瓦特/升泼由16 / 2 16 / 2，然后进一步= 32 / 1然后8 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2等。
瓦特/升泼由16 / 2 16 / 2，然后进一步= 32 / 1然后8 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2等。
·
··ͨ
Guest
要非常小心，如果你的噪音是由一个电流乘以100倍因素。该设备噪音连接单一的二极管将大比例其目前的水平。这种噪声将乘以100倍因素。
例如：
1微安电流乘以1至为100uA。
器件跨导的第一季度（单）设置为3.7uMhos。
器件跨导的第二季度（100倍），是270uMhos。
噪音是2pA/rtHz在第二季度。超过100MHz的频段，这将是0.02uARMS。
Q1是在0.2pA/rtHz噪音，这似乎更小，但它将电流乘以比例的100倍，使一个20pA/rtHz输出噪声。超过100MHz的频段，这是0.2uARMS。
例如：
1微安电流乘以1至为100uA。
器件跨导的第一季度（单）设置为3.7uMhos。
器件跨导的第二季度（100倍），是270uMhos。
噪音是2pA/rtHz在第二季度。超过100MHz的频段，这将是0.02uARMS。
Q1是在0.2pA/rtHz噪音，这似乎更小，但它将电流乘以比例的100倍，使一个20pA/rtHz输出噪声。超过100MHz的频段，这是0.2uARMS。
H
husseinadel
Guest
gharuda说：
自乌拉圭回合multipilcation因素是大型即100。
这将导致
1）大面积
2）源漏极寄生capacitence和栅极电阻为更好地匹配和减少因此在S / D转换上限u需要spitt的tranistor。甚至随地吐痰是首选，这将降低乌尔区/天capacitences，S和将优化栅极电阻。瓦特/升泼由16 / 2 16 / 2，然后进一步= 32 / 1然后8 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2等。由于交界capacitences是减少了tranistor速度会增加
自乌拉圭回合multipilcation因素是大型即100。
这将导致
1）大面积
2）源漏极寄生capacitence和栅极电阻为更好地匹配和减少因此在S / D转换上限u需要spitt的tranistor。甚至随地吐痰是首选，这将降低乌尔区/天capacitences，S和将优化栅极电阻。瓦特/升泼由16 / 2 16 / 2，然后进一步= 32 / 1然后8 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2等。由于交界capacitences是减少了tranistor速度会增加
I
IPSC
Guest
路路通说：
要非常小心，如果你的噪音是由一个乘以电流的100倍的因素。
单个设备的连接二极管的噪声大的比例将其目前的水平。
这种噪声将乘以100倍的因素。例如：
乘法的电流仅为1μA为100uA。
第一季度（单个器件跨导）设置为3.7uMhos。
第二季度（100倍器件跨导）是270uMhos。噪音是2pA/rtHz在第二季度。
超过100MHz的频段，这将是0.02uARMS。
噪音是在第一季度0.2pA/rtHz，这似乎较小，但它会受到比乘以100倍的电流，使输出的20pA/rtHz噪音。
超过100MHz的频段，这是0.2uARMS。
要非常小心，如果你的噪音是由一个乘以电流的100倍的因素。
单个设备的连接二极管的噪声大的比例将其目前的水平。
这种噪声将乘以100倍的因素。例如：
乘法的电流仅为1μA为100uA。
第一季度（单个器件跨导）设置为3.7uMhos。
第二季度（100倍器件跨导）是270uMhos。噪音是2pA/rtHz在第二季度。
超过100MHz的频段，这将是0.02uARMS。
噪音是在第一季度0.2pA/rtHz，这似乎较小，但它会受到比乘以100倍的电流，使输出的20pA/rtHz噪音。
超过100MHz的频段，这是0.2uARMS。
E
eng_islam
Guest
路路通说：
要非常小心，如果你的噪音是由一个乘以电流的100倍的因素。
单个设备的连接二极管的噪声大的比例将其目前的水平。
这种噪声将乘以100倍的因素。例如：
乘法的电流仅为1μA为100uA。
第一季度（单个器件跨导）设置为3.7uMhos。
第二季度（100倍器件跨导）是270uMhos。噪音是2pA/rtHz在第二季度。
超过100MHz的频段，这将是0.02uARMS。
噪音是在第一季度0.2pA/rtHz，这似乎较小，但它会受到比乘以100倍的电流，使输出的20pA/rtHz噪音。
超过100MHz的频段，这是0.2uARMS。
要非常小心，如果你的噪音是由一个乘以电流的100倍的因素。
单个设备的连接二极管的噪声大的比例将其目前的水平。
这种噪声将乘以100倍的因素。例如：
乘法的电流仅为1μA为100uA。
第一季度（单个器件跨导）设置为3.7uMhos。
第二季度（100倍器件跨导）是270uMhos。噪音是2pA/rtHz在第二季度。
超过100MHz的频段，这将是0.02uARMS。
噪音是在第一季度0.2pA/rtHz，这似乎较小，但它会受到比乘以100倍的电流，使输出的20pA/rtHz噪音。
超过100MHz的频段，这是0.2uARMS。
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··ͨ
Guest
您的问题，我发现原来在我的后一差异：跨导第二季的应该是370uMhos。
我提出的transconductances没有真正计算出任何真正的晶体管体积或过程，只是一个起点，一个猜测。
在1 MOSFET的电流噪音是的sqrt（（8 / 3）的K * * * ţ GM）的放大器，在/的sqrt（频率）。只需插上跨导，你有噪声电流。
再次，对带宽，我只是发了猜测。我不知道目前正在使用，没有，我不能指定的带宽。简单乘法噪声带宽的噪声电流的获得的sqrt的噪音水平。
怎样才能改善这情况？我的第一个倾向是不使用这样一个小电流来产生电流反射，如果可能的话你的大。
根据不同的噪声带宽的应用，你可以到你的电流镜滤波器的大门，以减少热噪声的高频率。请记住，在低频率的热噪声和闪烁仍将成倍增加。
另一种方法是降低噪音，减少电流镜的transconductances在。如果的W / L的比例为晶体管是下降，transconductances将减少。如果宽度是长度减少了2倍和2倍增加，跨导将减少4倍，噪音水平将下降2倍。当然，有此限制，因为VGS的电压将增加，最低讥增加电压的电流镜的意志。
我提出的transconductances没有真正计算出任何真正的晶体管体积或过程，只是一个起点，一个猜测。
在1 MOSFET的电流噪音是的sqrt（（8 / 3）的K * * * ţ GM）的放大器，在/的sqrt（频率）。只需插上跨导，你有噪声电流。
再次，对带宽，我只是发了猜测。我不知道目前正在使用，没有，我不能指定的带宽。简单乘法噪声带宽的噪声电流的获得的sqrt的噪音水平。
怎样才能改善这情况？我的第一个倾向是不使用这样一个小电流来产生电流反射，如果可能的话你的大。
根据不同的噪声带宽的应用，你可以到你的电流镜滤波器的大门，以减少热噪声的高频率。请记住，在低频率的热噪声和闪烁仍将成倍增加。
另一种方法是降低噪音，减少电流镜的transconductances在。如果的W / L的比例为晶体管是下降，transconductances将减少。如果宽度是长度减少了2倍和2倍增加，跨导将减少4倍，噪音水平将下降2倍。当然，有此限制，因为VGS的电压将增加，最低讥增加电压的电流镜的意志。
G
Guest
Guest
[No message]
G
Guest
Guest
一般讲电流镜增殖因子小于20。