需要帮助的电容布局

[÷]

嗨，
我desiging在0.35微米技术的Σ-Δ调制器有5位粗量化。对于开关电容积分，我选择了32个采样电容器（CS）的每一个价值0.3pF。而整合电容（次）值为32 * 0.3 = 9.6pf。
请提出一些我这么多的大值（10pf），其中机系列词之间和Cs 和＆词与词的重要电容布局很好的技术，
我认为poly1 - poly2上限是最好的选择。我应该使用只有2 poly1平方米的飞机poly2或其他技术都可以使用。

谢意和慰问
〜梅克纳

 

[Guest]

[No message]

 

[cdrguy]

您希望使用mimcap？
您可以使用节奏pcell产生mimcap。

 

[zx2051]

第一次读设计规则

 

[Guest]

是。PIP的电容是最好的。即使它是昂贵的。
在对称放置他们，surroud由虚画中画细胞他们。

 

[Btrend]

为什么不减少乌拉圭回合的总电容？
为什么选择回合ü集成9.6pF？噪声问题，或匹配问题？
顺便说一下，ü是什么意思“的5位粗量化”，我没有从书本内听到的，是新技术？

 

[÷]

嗨，
感谢您的答复。由粗量化，我的意思是内部量化即5位闪速ADC（即需要32比较）及5位DAC（需要32个开关采样电容）。
我选择的每个采样电容0.3pF，所以总的抽样帽值为32 * 0.3pF = 9.6pF。而这应该是集成的增益为1电容器也值（铯/次）。
是啊...画中画电容将是最好的。但不知何故
， 我没有收到有关如何进行是一个好主意。

关心
梅克纳

 

[xinsu]

我认为ü应该更好地向这些帽子双guardring

 

[tuza2000]

0.3pf是否正确？
怎么样寄生capcitance？
它可以达到0.x公积金的某个时候。

 

[÷]

是啊..有时paracitic电容达到某些0.xpf。但是
， 那又是最小的电容值，我可以有把握地选择在0.35微米技术。
（请记住
， 我要乘以32这个值，并且将成倍增加值为OTA的负载电容，所以我避免使用较大的值）