TL494的半桥吹保险丝

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Guest
你好，我已经建立了连接开关电源。我已经能够成功地测试它与一个变压器所有波形都没有在响或穗清洁至100V。当把插入220V的保险丝引爆了开关和两个MOSFET短路了GDS的。我什至将与较低的MOSFET源一系列0.22R，并没有任何对我的措施主要有低电压转换范围为10 mV范围看，发现一只波形。任何的地方，我可以看看理清问题的建议？这两个22ohm连接到主transfo电阻器是一个100W的灯泡，我已经对用于测试。谢谢
 
通知，22欧姆的电阻器具有很强的非线性，因为他们是灯 - 当他们的抵抗寒冷相比要低得多的阻力时，他们加热。另外推挽晶体管，如果他们选择了缓慢或不正确的工作点半就可以留simultaneosly短的时间内打开。
 
您好感谢您的答复。 22欧姆给出一个粗略的数字为有效，他们将随温度。你认为这个问题与MOSFET是什么？我更倾向于在启动应用到了有可能进入饱和和炸毁的电压MOSFET的核心思想。能否请你详细一点感谢
 
是的，时间是最开始的电力供应至关重要。你试试，看看你有没有同样的问题，如果您smootly增加120至220V电压（有一些可变自耦变压器）？你需要找到条件，使晶体管炸毁，显然，如果在120伏的电路图运作的，你需要寻找一些过渡效果。
 
您好luben感谢您的答复。唯一的问题是，我没有这样的可变电源得心应手。我只有两个30 - 0 - 30V的变压器，我按照我的交换需要得到重新布线串联或主要回中学次级分离得到220 60，120和200V。我想到了以下的可能性1）尖峰，在MOSFET或2）对变压器匝数比出现。我仍然有2 IRF840方便对所以我还是可以做另外的测试。我尝试以下思路：检查了每个MOSFET和b））广东局副局长的波形每个MOSFET三）对面，从寒冷的主开关。我做后，对开关电源，但不是在所有的测量。也许有一些问题，在启动电源是120伏范围内，在MOSFET的toloerance但超越220伏特的发生。我也将尝试获得一个NTC电阻，并将其添加到启动浪涌保护。它不是在目前的电路。我将发布在更换MOSFET和做试验。
 
当你用示波器测量的信号确保GND引脚连接线没有连接的范围（该范围不应电气接地连接电源地）。如果你没有这样做，你可以买一个新的范围很快。如果线圈少轮流在变压器中的电流将增加，都可能损坏晶体管。
 
您好Lubben我会考虑你所提供的通知书。但是在这个过程中我想到了一个快速和肮脏的决策变量高压电源，并连接后，用于测试目的的桥梁。也许下面可能是一个很好的出发点：[网址= http://sound.westhost.com/project31.htm]项目31 - 全功能晶体管测试仪[/网址]，但我需要看得更远
 
如果你在eBay的时候，你可以得到便宜的变量自耦变压器。如果你计划建立更多的高电压应用可变自耦变压器是“必须拥有”的设备。此外，您可以通过添加一个电气绝缘变压器1:1（如220至220V，或110至110伏特）从电源变压器。我的经验是，如果没有这样的自耦变压器，没有电隔离，你会得到迟早的问题（这是一个俄罗斯轮盘赌的一种）。慢慢增加你可以测量输入电压的电流，看到了波的形式。此外一旦设计准备好你需要证明它在宽电压范围工作 - 想像，它的行上220但110伏特的失败。当然，如果它是一个单一的爱好任务，你可以做你喜欢。
 
您可能必须与您驱动电路的一些问题。一个快速模拟表明你应该寻找的。您的一台设备仍然开启，当您打开另一方面，造成了整个供应短。上部曲线：驱动器中输入跟踪：栅压底追踪：流失的底部范围，显示电压，我增加了一个二极管，以加快与效果好得多的倒胃口。
 
喜电子设计非常感谢您的答复很多。可以请你告诉我如何正确的跟踪可以实现？对不起，我是一个学习的曲线现在。你加电阻的BD - 139，140，加快关闭关闭顺序走呢？谢谢
 
我只是采用了从大门终端反向二极管回车道绕组（S1/S2），以示区别。这是可以做到在几个方面。下面是一个这样的方式，以防止意外的dv / dt的打开的风险。在大多数情况下，R1是左出的电路也。
 
喜电子设计非常感谢您的答复很多。我将实现你所附加的计划，并做一些测试。能不能请你告诉我你用的软件做模拟？
 
这样做是与Multisim但许多其他人可以使用，以及[网址= http://www.ni.com/academic/multisimse.htm] NI Multisim的学生版 - 美国国家仪器公司[/网址] [网址= www.linear.com/designtools/software/]线性技术 - 设计仿真和器件模型[/网址]
 
您的答复电子设计实施感谢我的栅极驱动。我会尽量到SIM卡在上述模拟测试之前如果可能的话，整个模拟器之一的电源部分。
 
你好，我在我的波形有什么奇怪的。低边MOSFET信号是好的。高边MOSFET信号是好的，但它有一个10V的偏置测量时bettween门和来源。这正常吗？
 
您好感谢Kabiru是这样的话这就是我为什么问这些问题我的第一个220V的开关电源。我会继续与进步的电压试验。该装置已经过测试，与30V的。随着软启动问候我会尝试获得一个NTC电阻要在我的电路失踪。你认为使用了TL494的软启动，可使用的另一种选择NTC电阻？？？谢谢
 
我已经能够测试220V的电路。这一次，变压器开始作嗡嗡声与熔丝后一分钟左右自爆。我怀疑核心staturation，也可能是另一个问题。如果我磁芯饱和，这是最简单的方法来衡量核心磁化电流和检测问题吧？？谢谢
 
你需要把当前的一些探头（或计量小电阻上的电压），看看电流与电压的变化
 
如果我可能会问，你在什么频率swiching你的MOSFET？
 
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