散装挂钩源布局

[ccw27]

因此
， 我已经在三级联NMOS管好。顶端级联其大部分是依赖于它的源NMOS管。在该阱的最小间距是接到VDD和大容量连接到它的源布局。但是
， 这阱的最小间距也连接到底部NMOS管阱的最小间距。这样对吗？

 

[Guest]

[No message]

 

[| IAngel |]

这个主意听起来不错...从我的好（IBM的0.013 U和性传播感染90纳米）的散货都必须有来源
， 在使用过程三重布局，油井都应该被接到VDD和周围的水井大部分应立足...

因此
， 如果这是你做了什么：那么你这样做只是罚款！

 

[ccw27]

是否有必要将增加大约阱的最小间距PSUB？我知道更好的隔离性建议。任何其他理由？

 

[| IAngel |]

那么，技术上PSUB是外阱的最小间距它最终连接云：
在PWELL场效应管（大部分为NFET）
在阱的最小间距PWELL（阱的最小间距关系到Vdd，如同任何阱的最小间距）
散装接地。这样一来，与阱的最小间距和PSUB，PWELL和阱的最小间距等清洁二极管形式。这是从我使用的工具包，又都和原理图符号等是很好的（有一个nfet，源连接，正向二极管代表PWELL的阱的最小间距它获取接到VDD，从阱的最小间距扭转二极管标签PSUB是得到接地（PSUB因此必须接地）。

这是当然，前提是您没有散装或以及偏置电路。如果您没有作出这样的理由
， 但连接，FET的性能会有所不同
， 如果你比，我的经验。我想这是没有完全必要的，但如果你不漂移的远传电信将更多-再次在我的经验。

享受！